QCSE tuning in polar GaN/AlN heterostructures
- We show both theoretically and experimentally how the encapsulation of the active region by additional guard layers can be used to achieve a significant reduction of the built-in electric fields in polar nitride heterostructures. This reduction of the QCSE results in a strongly enhanced emission intensity and faster recombination dynamics in the active region. In particular we are able to shift the emission energy of 4-nm-thick GaN nano-discs up to 3.32 eV, which is just 150 meV below the bulk GaN bandgap as compared to a red-shift of about 1 eV in a conventional heterostructure with the same thickness.
| Autor*innen: | Gerald HönigORCiD, S. Schlichting |
|---|---|
| Koautor*innen: | M. R. Wagner, J. Müssener, P. Hill, T. Grieb, J. Teubert, J. Schörmann, A. Rosenauer, M. Eickhoff, A. Hoffmann, G. Callsen |
| Dokumenttyp: | Vortrag |
| Veröffentlichungsform: | Präsentation |
| Sprache: | Englisch |
| Jahr der Erstveröffentlichung: | 2018 |
| DDC-Klassifikation: | Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie |
| Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten | |
| Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Angewandte Physik | |
| Freie Schlagwörter: | IFGARD; Nanoheterostructures; Nonpolar; Piezopolarization; QCSE; Spontaneous Polarization |
| Veranstaltung: | SPIE. PHOTONICS WEST OPTO |
| Veranstaltungsort: | San Francisco, CA, USA |
| Beginndatum der Veranstaltung: | 29.01.2018 |
| Enddatum der Veranstaltung: | 31.01.2018 |
| Verfügbarkeit des Dokuments: | Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access") |
| Datum der Freischaltung: | 05.02.2018 |
| Referierte Publikation: | Nein |
| Eingeladener Vortrag (wissenschaftliche Konferenzen): | Nein |

