Shielding electrostatic fields in polar semiconductor nanostructures

  • Polar semiconductor materials enable a variety of classic and quantum-light sources, which are optimized continuously. However, one key problem—the inherent electric crystal polarization of such materials—remains unsolved and deteriorates the radiative exciton decay rate. We suggest a sequence of reverse interfaces to compensate these polarization effects, while the polar, natural crystal growth direction is maintained. Former research approaches, like growth on less-polar crystal planes or even the stabilization of unnatural phases, never reached industrial maturity. In contrast, our concept provides a way for the development of ultrafast devices based on established growth processes for polar materials, while the electric potential landscape becomes adjustable.

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Autor*innen:Gerald Hönig, S. Westerkamp, A. Hoffmann, G. Callsen
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Physical Review Applied
Jahr der Erstveröffentlichung:2017
Verlag:American Physical Society
Verlagsort:College Park, MD 20740-3844
Jahrgang/Band:7
Ausgabe/Heft:2
Erste Seite:024004-1
Letzte Seite:024004-12
DDC-Klassifikation:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Angewandte Physik
Freie Schlagwörter:Halbleiterphysik; Nanophysik; Optoelektronik; Piezopolarisation; Spontane Polarisation
DOI:10.1103/PhysRevApplied.7.024004
ISSN:2331-7019
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:09.02.2017
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:10.03.2017
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