AES Depth Profiling of Semiconducting Epitaxial Layers with Thicknesses in the Nanometre Range Using an Ion Beam Bevelling Technique

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Autor*innen:Mathias ProcopORCiD, A. Klein, I. Rechenberg, D. Krüger
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Surface and interface analysis
Jahr der Erstveröffentlichung:1997
Verlag:Wiley
Verlagsort:Chichester
Jahrgang/Band:25
Erste Seite:458
Letzte Seite:463
Freie Schlagwörter:AES; Depth profiling; Ion beam bevelling
ISSN:0142-2421
ISSN:1096-9918
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:07.03.2005
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