Pulsed laser deposition of EU - Y2O3 thin films on (0001) alpha-Al2O3

  • This paper focuses on the preparation and characterization of crystalline thin films of rare-earth-doped sesquioxides (Y2O3, Lu2O3) grown by pulsed laser deposition on single-crystal (0001) sapphire substrates. X-ray diffraction measurements show that the films with thicknesses between 1 nm and 500 nm were highly textured along the 111 direction. Using Rutherford backscattering analysis, the correct stoichiometric composition of the films was established. The emission and excitation spectra of europium-doped films with a thickness 100 nm look similar to those of the corresponding crystalline bulk material, whereas films with a thickness 20 nm show a completely different emission behavior.

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Autor*innen:S. Bär, G. Huber, J. Gonzalo, A. Perea, Martin Munz
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Applied physics A
Jahr der Erstveröffentlichung:2004
Verlag:Springer
Verlagsort:Berlin
Jahrgang/Band:80
Ausgabe/Heft:2
Erste Seite:209
Letzte Seite:216
Freie Schlagwörter:Atomic force microscopy; Integrated optical devices; Luminescence; Pulsed laser deposition; X-ray diffraction
DOI:10.1007/s00339-004-3029-8
URL:http://www.sciencedirect.com/science/journal/0926860X
ISSN:0947-8396
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:20.01.2005
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