Das Suchergebnis hat sich seit Ihrer Suchanfrage verändert. Eventuell werden Dokumente in anderer Reihenfolge angezeigt.
  • Treffer 12 von 1987
Zurück zur Trefferliste

Nanosecond laser-induced interference grating formation on silicon

  • The formation of gratings on the surface of a silicon wafer by nanosecond laser irradiation through a phase mask using an ArF laser emitting at 193 nm is studied. The phase mask along with some focusing optics is capable to generate via interference a periodic intensity distribution, which can be used for surface patterning. The surface patterning strongly depends on the laser energy density and on the number of pulses, as revealed by atomic force microscopy (AFM). The results show that irradiation even with a single laser pulse produces periodic depth modulations on the surface. The spatial surface modulation is in the micrometer (1.7 µm) range while the depth modulation is in the nanometer regime (1–20 nm). With an increasing number of pulses (1–100), the depth modulation amplitude increases smoothly. Increasing the number of pulses further results in the progressive destruction of the grating, vanishing completely after ~5000 pulses. This evolution is also monitored in situ byThe formation of gratings on the surface of a silicon wafer by nanosecond laser irradiation through a phase mask using an ArF laser emitting at 193 nm is studied. The phase mask along with some focusing optics is capable to generate via interference a periodic intensity distribution, which can be used for surface patterning. The surface patterning strongly depends on the laser energy density and on the number of pulses, as revealed by atomic force microscopy (AFM). The results show that irradiation even with a single laser pulse produces periodic depth modulations on the surface. The spatial surface modulation is in the micrometer (1.7 µm) range while the depth modulation is in the nanometer regime (1–20 nm). With an increasing number of pulses (1–100), the depth modulation amplitude increases smoothly. Increasing the number of pulses further results in the progressive destruction of the grating, vanishing completely after ~5000 pulses. This evolution is also monitored in situ by measuring the intensity of the first order-diffracted probe beam and the behavior is in accordance with what is observed by AFM. Finally, we qualitatively explain the results invoking thermally induced effects in the melted Si: these physical processes involved are probably thermocapillary and/or Marangoni effects inducing material displacement as the surface melts.zeige mehrzeige weniger

Volltext Dateien herunterladen

  • 2019-Pelaez_JPhysD52_225302.pdf
    eng

Metadaten exportieren

Weitere Dienste

Teilen auf Twitter Suche bei Google Scholar Anzahl der Zugriffe auf dieses Dokument
Metadaten
Autor*innen:R.J. Peláez, E. Rebollar, R. Serna, C. Acosta-Zepeda, P. Saavedra, Jörn BonseORCiD, E. Haro-Poniatowski
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Journal of Physics D: Applied Physics
Jahr der Erstveröffentlichung:2019
Organisationseinheit der BAM:6 Materialchemie
6 Materialchemie / 6.2 Material- und Oberflächentechnologien
Verlag:IOP Publishing
Verlagsort:Bristol, UK
Jahrgang/Band:52
Ausgabe/Heft:22
Erste Seite:225302, 1
Letzte Seite:10
DDC-Klassifikation:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Angewandte Physik
Freie Schlagwörter:Grating; Nanosecond laser irradiation; Phase mask; Silicon; Surface modification
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Energie
Material
DOI:10.1088/1361-6463/ab0c5f
URL:https://iopscience.iop.org/article/10.1088/1361-6463/ab0c5f
ISSN:1361-6463
ISSN:0022-3727
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:26.03.2019
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:04.04.2019
Einverstanden
Diese Webseite verwendet technisch erforderliche Session-Cookies. Durch die weitere Nutzung der Webseite stimmen Sie diesem zu. Unsere Datenschutzerklärung finden Sie hier.