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XTEM and TFXRD investigations of ohmic Ti/Al/Ti/Au/WSiN contacts on AlGaN/GaN HFET layer systems

  • The microstructural features of the high-temperature-stable ohmic contact system Ti/Al/Ti/Au/WSiN on AlGaN/GaN were investigated using analytical transmission electron microscopy and thin film x-ray diffraction. For two typical rapid thermal annealing steps at 750 ◦C (non-ohmic behaviour) and 850 ◦C (ohmic behaviour) the intermetallic phases at the metal–semiconductor interface are presented. Increased annealing leads to the transformation of an Al2Au-AlAuTi phase mixture to a mixture of Al2Au-Al3Au8 phases and the formation of Ti-Al-nitride layers at the interfaces. In light of these results the electrical contact properties are discussed.

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  • Ti-Al-Ti-Au-WSiN on AlGaN-GaN.pdf
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Autor*innen:E. Nebauer, Werner ÖsterleORCiD, J. Hilsenbeck, J. Würfl, A. Klein
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Semiconductor Science and Technology
Jahr der Erstveröffentlichung:2002
Verlag:IOP Publishing Ltd
Jahrgang/Band:17
Erste Seite:249
Letzte Seite:254
DDC-Klassifikation:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie
Freie Schlagwörter:AlGaN/GaN heterostructure; Intermetallic phases; Ohmic contact; Rapid thermal annealing; WSiN diffusion barrier
ISSN:0268-1242
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:01.12.2016
Referierte Publikation:Nein
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