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Certification of antimony implanted in silicon wafer with a silicon dioxide diffusion barrier - IRMM-302 and BAM-L001

  • This Report describes the certification of the reference material antimony implanted in Si/SiO2 intended to be used for calibration of surface and near surface analytical methods. It describes the preparation, homogeneity measurements and the analytical work performed for the certification of both Areal density of antimony Atoms (retained dose) and the isotope amount Ratio as well as giving considerations on the stability of the material.

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Autor*innen:K. H. Ecker, U. Wätjen, Achim Berger, R. Grötzschel, L. Persson, W. Pritzkow, Martin RadtkeORCiD, Gundel Riebe, Heinrich Riesemeier, Jochen VoglORCiD
Dokumenttyp:Forschungsbericht
Veröffentlichungsform:Graue Literatur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):IRMM and BAM Information Reference Materials
Jahr der Erstveröffentlichung:2002
Veröffentlichende Institution:Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM)
Verlag:Institute for Reference Materials and Measurements
Verlagsort:Geel, Belgium
Erste Seite:1
Letzte Seite:40
DDC-Klassifikation:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie
Freie Schlagwörter:Areal density; Isotope ratio; Surface analysis
URN:urn:nbn:de:kobv:b43-355752
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei für die Öffentlichkeit verfügbar ("Open Access")
Lizenz (Deutsch):License LogoAllgemeines Deutsches Urheberrecht
Datum der Freischaltung:29.03.2016
Referierte Publikation:Nein
Schriftenreihen ohne Nummerierung:BAM Forschungsberichte ohne Nummerierung
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