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Hybrid optical measurement technique for detection of defects in epitaxially grown 4H-SiC layers
- Recent developments in power electronics require the use of new wide bandgap compound semiconductor. We demonstrate the use of the ellipsometry and white light interference microscopy to detect defects in epitaxially grown SiC layers on SiC substrates. Such hybrid optical metrology methods can be used to better understand the mechanism of the development of the defects as well as their effects on the material´s optoelectronic properties.
Autor*innen: | Elena Ermilova, Matthias Weise, Andreas HertwigORCiD |
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Dokumenttyp: | Beitrag zu einem Tagungsband |
Veröffentlichungsform: | Graue Literatur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | EOS Annual Meeting (EOSAM 2022) |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2022 |
Organisationseinheit der BAM: | 6 Materialchemie |
6 Materialchemie / 6.1 Oberflächen- und Dünnschichtanalyse | |
Veröffentlichende Institution: | Bundesanstalt für Materialforschung und -prüfung (BAM) |
Jahrgang/Band: | 266 |
Aufsatznummer: | 10001 |
Erste Seite: | 1 |
Letzte Seite: | 2 |
DDC-Klassifikation: | Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie |
Freie Schlagwörter: | Epitaxially grown 4H-SiC layers; Imaging ellipsometry; White light interference microscopy; Wide bandgap compound semiconductor |
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM: | Chemie und Prozesstechnik |
Veranstaltung: | EOS Annual Meeting (EOSAM 2022) |
Veranstaltungsort: | Porto, Portugal |
Beginndatum der Veranstaltung: | 12.09.2022 |
Enddatum der Veranstaltung: | 16.09.2022 |
DOI: | 10.1051/epjconf/202226610001 |
URN: | urn:nbn:de:kobv:b43-561113 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Datei für die Öffentlichkeit verfügbar ("Open Access") |
Lizenz (Deutsch): | Creative Commons - CC BY - Namensnennung 4.0 International |
Datum der Freischaltung: | 27.10.2022 |
Referierte Publikation: | Nein |
Schriftenreihen ohne Nummerierung: | Wissenschaftliche Artikel der BAM |