• Treffer 1 von 12
Zurück zur Trefferliste

Low temperature functionalization of two-dimensional boron nitride for electrochemical sensing

  • Two-dimensional hexagonal boron nitride(h-BN)as an emerging nanomaterial exhibits uniquephysicochemical properties, making it suitable candidate for a wide spectrum of applications.However, due to its poor functionality, the processability of this nanomaterial is low. In this work, wereport on a straightforward and scalable approach for the functionalization of h-BN by nitrene[2+1]cycloaddition at room temperature. The triazine-functionalized h-BN(Trz-BNs)showed ahigh reactivity toward nucleophiles, through which post-modifications are performable. The post-modification of Trz-BNs by L-cysteine was studied using cyclic voltammetry and differential pulsevoltammetry. Taking advantage of the scalable and straightforward functionalization as well as abilityof triazine functional groups for the controlled post-modifications, Trz-BNs is a promisingnanoplatform for a wide range of future applications.

Volltext Dateien herunterladen

  • Daneshnia_2019_Mater._Res._Express_6_095076.pdf
    eng

Metadaten exportieren

Weitere Dienste

Teilen auf Twitter Suche bei Google Scholar Anzahl der Zugriffe auf dieses Dokument
Metadaten
Autor*innen:S. Daneshnia, M. Adeli, A. Yari, A. Shams, Ievgen DonskyiORCiD, Wolfgang UngerORCiD
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):MATERIALS RESEARCH EXPRESS
Jahr der Erstveröffentlichung:2019
Organisationseinheit der BAM:6 Materialchemie
6 Materialchemie / 6.1 Oberflächen- und Dünnschichtanalyse
Verlag:IOP Publishing Ltd
Jahrgang/Band:6
Ausgabe/Heft:9
Erste Seite:095076, 1
Letzte Seite:11
DDC-Klassifikation:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Freie Schlagwörter:Electrochemical sensing; Nitrene[2+1]cycloaddition; Post-modification by L-cysteine; Two-dimensional hexagonal boron nitride(h-BN); XPS
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Chemie und Prozesstechnik
Material
Material / Nano
DOI:10.1088/2053-1591/ab317b
ISSN:2053-1591
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:06.08.2019
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:06.08.2019
Einverstanden
Diese Webseite verwendet technisch erforderliche Session-Cookies. Durch die weitere Nutzung der Webseite stimmen Sie diesem zu. Unsere Datenschutzerklärung finden Sie hier.