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Ga+ implantation in a PZT film during focused ion beam micro-machining

  • The objective of the present work was to study the impact of Focused Ion Beam (FIB) machining parameters on the thickness of the damaged layer within a thin film PZT. Therefore, different Ga+- ion doses and ion energies were applied to a standard PZT film (80/20 lead zirconium titanate) under two beam incidence angles (90° and 1°). The thicknesses of the corresponding Ga+-implanted layers were then determined by cross-sectional TEM in combination with energy dispersive spectroscopic (EDS) line-scans and correlated with polarisation hysteresis loops. The results show a decrease of Ga+-implanted layer thickness with decreasing inclination angle, whereas ion energy and ion dose could be correlated with gallium concentration in the implanted layers.. Under the most unfavorable conditions the depth of the affected zone was 26 nm, it was only 2 nm for the most favorable conditions.

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  • Wollschl-ger_et_al-2015-physica_status_solidi_(c).pdf
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Autoren/innen:Nicole Wollschläger, Werner ÖsterleORCiD, Ines Häusler, M. Stewart
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Physica status solidi C
Jahr der Erstveröffentlichung:2015
Organisationseinheit der BAM:5 Werkstofftechnik
5 Werkstofftechnik / 5.1 Materialographie, Fraktographie und Alterung technischer Werkstoffe
5 Werkstofftechnik / 5.2 Experimentelle und modellbasierte Werkstoffmechanik
Verlag:Wiley-VCH
Verlagsort:Berlin
Jahrgang/Band:12
Ausgabe/Heft:3
Erste Seite:314
Letzte Seite:317
Freie Schlagwörter:Focused ion beam; Gallium implantation; PZT; Polarisation-electric field loop
DOI:https://doi.org/10.1002/pssc.201400096
URL:https://apps.webofknowledge.com/full_record.do?product=WOS&search_mode=GeneralSearch&qid=25&SID=V11vUt3nE6Su3DBrNFB&page=1&doc=1
ISSN:1610-1634
ISSN:1862-6351
ISSN:1610-1642
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:20.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:18.11.2016