Das Suchergebnis hat sich seit Ihrer Suchanfrage verändert. Eventuell werden Dokumente in anderer Reihenfolge angezeigt.
  • Treffer 64 von 205
Zurück zur Trefferliste

Au/Pt/Ti/Pt base contacts to n-InGaP/p+-GaAs for self-passivating HBT ledge structures

  • Multi-layer ohmic contact systems such as Au/Pt/Ti/Pt on III-V double layers such as n-InGaP/p+-GaAs are of considerable technological relevance, e.g. for heterojunction bipolar transistors. The paper shows that such contacts can be effectively reacted through the InGaP layer and exhibit very good contact resistances (0.1 O mm) to the base layer if the thickness of the first Pt layer is properly matched to the thickness of the contacted InGaP layer. Interdiffusion and phase formation associated with the annealing processes are studied by cross-sectional analytical transmission electron microscopy, thin-film x-ray diffraction and Auger electron spectroscopy depth profiling. Thermal ageing experiments up to 400 °C show good electrical stability. Device related reliability tests do not show any degradation effect related to this novel base contact.

Metadaten exportieren

Weitere Dienste

Teilen auf Twitter Suche bei Google Scholar Anzahl der Zugriffe auf dieses Dokument
Metadaten
Autor*innen:E. Nebauer, M. Mai, J. Würfl, Werner ÖsterleORCiD
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Semiconductor science and technology
Jahr der Erstveröffentlichung:2000
Verlag:IOP Publ.
Verlagsort:Bristol
Jahrgang/Band:15
Ausgabe/Heft:8
Erste Seite:818
Letzte Seite:822
DOI:10.1088/0268-1242/15/8/306
ISSN:0268-1242
ISSN:1361-6641
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:24.03.2003
Einverstanden
Diese Webseite verwendet technisch erforderliche Session-Cookies. Durch die weitere Nutzung der Webseite stimmen Sie diesem zu. Unsere Datenschutzerklärung finden Sie hier.