XTEM and TFXRD investigations of ohmic Ti/Al/Ti/Au/WSiN contacts on AlGaN/GaN HFET layer systems
- The microstructural features of the high-temperature-stable ohmic contact system Ti/Al/Ti/Au/WSiN on AlGaN/GaN were investigated using analytical transmission electron microscopy and thin film x-ray diffraction. For two typical rapid thermal annealing steps at 750 ◦C (non-ohmic behaviour) and 850 ◦C (ohmic behaviour) the intermetallic phases at the metal–semiconductor interface are presented. Increased annealing leads to the transformation of an Al2Au-AlAuTi phase mixture to a mixture of Al2Au-Al3Au8 phases and the formation of Ti-Al-nitride layers at the interfaces. In light of these results the electrical contact properties are discussed.
Autor*innen: | E. Nebauer, Werner ÖsterleORCiD, J. Hilsenbeck, J. Würfl, A. Klein |
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Dokumenttyp: | Zeitschriftenartikel |
Veröffentlichungsform: | Verlagsliteratur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Semiconductor Science and Technology |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2002 |
Verlag: | IOP Publishing Ltd |
Jahrgang/Band: | 17 |
Erste Seite: | 249 |
Letzte Seite: | 254 |
DDC-Klassifikation: | Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie |
Freie Schlagwörter: | AlGaN/GaN heterostructure; Intermetallic phases; Ohmic contact; Rapid thermal annealing; WSiN diffusion barrier |
ISSN: | 0268-1242 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access") |
Datum der Freischaltung: | 01.12.2016 |
Referierte Publikation: | Nein |