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The growth of aligned AIN-nanocrystals in aluminium after nitrogen-ion implantation at 330 K

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Autoren/innen:T. Reier, J.W. Schultze, Werner ÖsterleORCiD, Ch. Buchal
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Thin solid films
Jahr der Erstveröffentlichung:2001
Verlag:Elsevier
Verlagsort:Amsterdam
Jahrgang/Band:385
Erste Seite:29
Letzte Seite:35
Freie Schlagwörter:AIN; Al2O3; Diffusion; Ion implantation; Nanocrystals
ISSN:0040-6090
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:04.07.2005