XPS and XTEM study of AlN formation by N+2 implantation of aluminium
- X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) were used to study the formation of AlN films by N+2 ion implantation of aluminium at energies of 3 keV and 100 keV. In both cases, a two-stage mechanism was found, comprising first the oriented precipitation of small particles of the hexagonal AlN-phase, followed by growth and coalescence finally forming a continuous AlN-layer while increasing the implantation dose from 1×1017 cm-2 to 2×1017 cm-2. The results of both methods are in excellent agreement and furthermore provide complementary information concerning chemical composition and binding energies as well as microstructural details.
Autor*innen: | Werner ÖsterleORCiD, Ilona Dörfel, Ingrid Urban, T. Reier, J. Schultze |
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Dokumenttyp: | Zeitschriftenartikel |
Veröffentlichungsform: | Verlagsliteratur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Surface and coatings technology |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 1998 |
Verlag: | Elsevier Science |
Verlagsort: | Lausanne |
Jahrgang/Band: | 102 |
Ausgabe/Heft: | 1-2 |
Erste Seite: | 168 |
Letzte Seite: | 174 |
Freie Schlagwörter: | AIN; Aluminium; Implantation; N2+; XPS; XTEM |
DOI: | 10.1016/S0257-8972(98)00355-7 |
ISSN: | 0257-8972 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access") |
Bibliotheksstandort: | Sonderstandort: Publica-Schrank |
Bibliotheksstandort: | ZS 45 |
Datum der Freischaltung: | 19.02.2016 |
Referierte Publikation: | Ja |
Datum der Eintragung als referierte Publikation: | 24.03.2003 |