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Nanogranular MgB2 thin films on SiC buffered Si substrates prepared by an in situ method
- MgB2 thin films were deposited on SiC buffered Si substrates by sequential electron beam evaporation of a BMg bilayer followed by in situ annealing. The application of a SiC buffer layer enables the maximum annealing temperature of 830 °C to be reached. Transmission electron microscopy analysis confirms the growth of a nanogranular MgB2 film and the presence of a Mg2Si compound at the surface of the film. The 150200 nm thick films show a maximum zero resistance critical temperature TC0 above 37 K and a critical current density JC~106 A cm-2 at 11 K.
Autor*innen: | S. Chromik, J. Huran, V. Strbík, M. Spanková, I. Vávra, W. Bohne, J. Röhrich, Erik Strub, P. Kovác, S. Stancek |
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Dokumenttyp: | Zeitschriftenartikel |
Veröffentlichungsform: | Verlagsliteratur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Superconductor science and technology |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2006 |
Verlag: | IOPP |
Verlagsort: | Bristol |
Jahrgang/Band: | 19 |
Ausgabe/Heft: | 6 |
Erste Seite: | 577 |
Letzte Seite: | 580 |
DOI: | 10.1088/0953-2048/19/6/027 |
ISSN: | 0953-2048 |
ISSN: | 1361-6668 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access") |
Bibliotheksstandort: | Sonderstandort: Publica-Schrank |
Datum der Freischaltung: | 19.02.2016 |
Referierte Publikation: | Ja |
Datum der Eintragung als referierte Publikation: | 10.01.2007 |