Sensor high throughput screening using photocurrent measurements in silicon
- A new high throughput screening method to characterise alloys used as gate metal of Metal/solid Electrolyte/Insulator/Semiconductor (MEIS) gas-sensors was developed. Samples with continuous gradients in alloy concentration for the system Pd1-x-yNiyCoy were analysed regarding H2 sensitivity. First results showed reduced poisoning effects of H2S for Ni concentrations between 4-11 at-% in Pd.
Autor*innen: | S. Linke, Julius Kühn, K. Nörthemann, Wolfgang UngerORCiD, W. Moritz |
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Dokumenttyp: | Zeitschriftenartikel |
Veröffentlichungsform: | Verlagsliteratur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Procedia engineering |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2012 |
Verlag: | Elsevier |
Verlagsort: | Amsterdam [u.a.] |
Jahrgang/Band: | 47 |
Erste Seite: | 1195 |
Letzte Seite: | 1198 |
Freie Schlagwörter: | H2 sensor; High throughput screening; LAPS; MEIS sensor; Ternary alloy |
Veranstaltung: | Eurosensors XXVI |
Veranstaltungsort: | Kraków, Poland |
Beginndatum der Veranstaltung: | 2012-09-09 |
Enddatum der Veranstaltung: | 2012-09-12 |
DOI: | 10.1016/j.proeng.2012.09.366 |
ISSN: | 1877-7058 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access") |
Bibliotheksstandort: | Sonderstandort: Publica-Schrank |
Datum der Freischaltung: | 20.02.2016 |
Referierte Publikation: | Nein |