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Re-activation of an all solid state oxygen sensor

  • The silicon based semiconductor structure Si/SiO2/Si3N4/LaF3/Pt can be used as a potentiometric oxygen sensor working at room temperature. A thermal re-activation can be applied to overcome the earlier disadvantage of an increase in response time with continuous use. Using the Pt gate electrode as a resistive heater, very short electrical high-power pulses can be applied. A heating time as short as 300 ns was sufficient for the re-activation of the sensor. This way, only the sensitive thin layer system LaF3/Pt was heated, and the whole sensor was at room temperature immediately after heating. Impedance spectroscopy, X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and quadruple mass spectrometric (QMS)–thermogravimetry (TG) were used to investigate the mechanism of deterioration in dynamic sensor behaviour and re-activation. The formation of hydrated carbonate and the desorption of CO2 and H2O have been shown to be the causes.

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Autor*innen:W. Moritz, S. Krause, U. Roth, D. Klimm, Andreas Lippitz
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Analytica chimica acta
Jahr der Erstveröffentlichung:2001
Verlag:Elsevier
Verlagsort:Amsterdam
Jahrgang/Band:437
Erste Seite:183
Letzte Seite:190
Freie Schlagwörter:Activation; Chemical sensor; LaF3; Pt; Thermal treatment
DOI:10.1016/S0003-2670(01)00993-X
ISSN:0003-2670
ISSN:1873-4324
ISSN:0378-4304
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Bibliotheksstandort:ZA 11
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:07.02.2005
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