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Nanogranular MgB2 thin films on SiC buffered Si substrates prepared by an in situ method

  • MgB2 thin films were deposited on SiC buffered Si substrates by sequential electron beam evaporation of a B–Mg bilayer followed by in situ annealing. The application of a SiC buffer layer enables the maximum annealing temperature of 830 °C to be reached. Transmission electron microscopy analysis confirms the growth of a nanogranular MgB2 film and the presence of a Mg2Si compound at the surface of the film. The 150–200 nm thick films show a maximum zero resistance critical temperature TC0 above 37 K and a critical current density JC~106 A cm-2 at 11 K.

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Autor*innen:S. Chromik, J. Huran, V. Strbík, M. Spanková, I. Vávra, W. Bohne, J. Röhrich, Erik Strub, P. Kovác, S. Stancek
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Superconductor science and technology
Jahr der Erstveröffentlichung:2006
Verlag:IOPP
Verlagsort:Bristol
Jahrgang/Band:19
Ausgabe/Heft:6
Erste Seite:577
Letzte Seite:580
DOI:10.1088/0953-2048/19/6/027
ISSN:0953-2048
ISSN:1361-6668
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:10.01.2007
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