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Altbekannter Watts-Elektrolyt, junge Hightech-Anwendung, Nickel- und Nickel-Eisen-Schichten als magnetostriktive Aktorschicht auf faseroptischen Sensoren

  • Durch faseroptische Sensoren können Bauteile im Einsatz kontinuierlich überwacht und frühzeitig Informationen über Materialveränderungen gewonnen werden. Mittels einer magnetostriktiven Aktorschicht, welche den Sensor umhüllt, kann nun auch die korrekte Sensorfunktion jederzeit kontrolliert werden. Als Aktorschicht eignet sich galvanisch abgeschiedenes reines Nickel oder Nickel-Eisen in der Zusammensetzung 50:50. Um diese haftfest mit dem Sensor zu verbinden wurde ein ECD/PVD-Kombinationsschichtsystem entwickelt. Die mechanischen Eigenschaften der ECD-Schicht können sowohl mit einer auf die Fasergeometrie angepassten instrumentierten Eindringprüfung als auch einem 2-Punkt-Biegeversuch bestimmt werden.

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Autoren/innen:Anja Mitzkus, Mario Sahre, Philipp Reinstädt, Michael Griepentrog, Uwe Beck, Enrico Köppe, Matthias Bartholmai, Frank Basedau, Delef Hofmann, Xin Gong, Vivien Schukar
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Deutsch
Titel des übergeordneten Werkes (Deutsch):WoMAG
Jahr der Erstveröffentlichung:2016
Organisationseinheit der BAM:6 Materialschutz und Oberflächentechnik
6 Materialschutz und Oberflächentechnik / 6.7 Oberflächenmodifizierung und -messtechnik
8 Zerstörungsfreie Prüfung
8 Zerstörungsfreie Prüfung / 8.1 Sensorik, mess- und prüftechnische Verfahren
8 Zerstörungsfreie Prüfung / 8.6 Faseroptische Sensorik
Jahrgang/Band:12
Erste Seite:1
Letzte Seite:4
DDC-Klassifikation:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Freie Schlagwörter:ECD-Aktorschicht; Faseroptik-Sensoren; Nickel-/Nickel-Eisen- Magnetostriktion; PVD-Haftfestigkeit
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Material
Analytical Sciences
ISSN:2195-5891
ISSN:2195-5905
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:09.02.2017
Referierte Publikation:Nein