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Two-dimensional carrier density distribution inside a high power tapered laser diode

  • The spontaneous emission of a GaAs-based tapered laser diode emitting at λ = 1060 nm was measured through a window in the transparent substrate in order to study the carrier density distribution inside the device. It is shown that the tapered geometry is responsible for nonuniform amplification of the spontaneous/stimulated emission which in turn influences the spatial distribution of the carriers starting from below threshold. The carrier density does not clamp at the lasing threshold and above it the device shows lateral spatial hole-burning caused by high stimulated emission along the cavity center.

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Autor*innen:R. Pagano, Mathias ZieglerORCiD, J.W. Tomm, I. Esquivias, J.M.G. Tijero, J.R. O'Callaghan, N. Michel, M. Krakowski, B. Corbett
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Applied physics letters
Jahr der Erstveröffentlichung:2011
Verlag:American Institute of Physics
Verlagsort:Melville, NY
Jahrgang/Band:98
Erste Seite:221110-1
Letzte Seite:221110-3
Freie Schlagwörter:Carrier density; Gallium arsenide; III-V semiconductors; Indium compounds; Laser cavity resonators; Optical hole burning; Quantum well lasers; Stimulated emission; Superradiance
DOI:10.1063/1.3596445
ISSN:0003-6951
ISSN:1077-3118
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:23.06.2011
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