Physical limits of semiconductor laser operation: A time-resolved analysis of catastrophic optical damage
- The early stages of catastrophic optical damage (COD) in 808 nm emitting diode lasers are mapped by simultaneously monitoring the optical emission with a 1 ns time resolution and deriving the device temperature from thermal images. COD occurs in highly localized damage regions on a 30 to 400 ns time scale which is determined by the accumulation of excess energy absorbed from the optical output. We identify regimes in which COD is avoided by the proper choice of operation parameters.
Autor*innen: | Mathias ZieglerORCiD, M. Hempel, H. E. Larsen, J. W. Tomm, P. E. Andersen, S. Clausen, S. N. Elliott, T. Elsaesser |
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Dokumenttyp: | Zeitschriftenartikel |
Veröffentlichungsform: | Verlagsliteratur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Applied physics letters |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2010 |
Verlag: | American Institute of Physics |
Verlagsort: | Melville, NY |
Jahrgang/Band: | 97 |
Ausgabe/Heft: | 021110 |
Erste Seite: | 1 |
Letzte Seite: | 3 |
Freie Schlagwörter: | Catastrophic optical damage; High-power diode lasers; Semiconductor laser; Thermography |
DOI: | 10.1063/1.3463039 |
ISSN: | 0003-6951 |
ISSN: | 1077-3118 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access") |
Bibliotheksstandort: | Sonderstandort: Publica-Schrank |
Datum der Freischaltung: | 19.02.2016 |
Referierte Publikation: | Ja |
Datum der Eintragung als referierte Publikation: | 22.07.2010 |