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Optical characterization of patterned thin films

  • The present study investigates the use of imaging and mapping ellipsometry to determine the properties of non-ideal and patterned thin film samples. Samples which are candidates for future references and standards were prepared for this purpose. The samples investigated were lithographically patterned SiO2 and photoresist layers. The thickness and the optical constants of the two materials were determined using spectroscopic ellipsometry in the visible spectral range. On a larger lateral scale of several mm lateral resolution, the homogeneity was investigated using a goniospectral rotating compensator ellipsometer. A nulling imaging ellipsometer was used to determine the properties of the sample on a smaller scale of 25–150 µm.

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Autor*innen:Dana Maria Rosu, P. Petrik, G. Rattmann, M. Schellenberger, Uwe Beck, Andreas HertwigORCiD
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Thin solid films
Jahr der Erstveröffentlichung:2014
Verlag:Elsevier
Verlagsort:Amsterdam
Jahrgang/Band:571
Ausgabe/Heft:3
Erste Seite:601
Letzte Seite:604
Freie Schlagwörter:Ellipsometrie; Inhomogeneous and patterned thin films; Patterned films; Photoresist; SiO2; Spectroscopic imaging and mapping ellipsometry
DOI:10.1016/j.tsf.2013.11.052
ISSN:0040-6090
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:20.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:05.03.2015
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