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Hydrogen migration in wet-thermally grown silicon dioxide layers due to high dose 15N ion beam irradiation

  • Three effects have been observed in wet-thermally grown structures under bombardement with energetic 15N ions: (1) Out-diffusion of H from the SiO2/Si system through the surface, (2) Accumulation of H at the SiO2/Si interface, (3) Changes in the optical fingerprint spectra of Ψ and Δ in dependence on λ (wavelength) obtained by ellipsometric measurements.

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Autor*innen:K. Maser, U. Mohr, R. Leihkauf, Klaus Ecker, Uwe Beck, D. Grambole, R. Grötzschel, F. Herrmann, J. Krauser, A. Weidinger
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Microelectronic engineering
Jahr der Erstveröffentlichung:1999
Verlag:Elsevier
Verlagsort:Amsterdam
Jahrgang/Band:48
Ausgabe/Heft:1-4
Erste Seite:139
Letzte Seite:142
DOI:10.1016/S0167-9317(99)00356-1
ISSN:0167-9317
ISSN:1873-5568
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:09.03.2012
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