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Spurenelementverteilung in Siliciumcarbid-Einkristallen - Vergleich analytischer Feststoffmethoden

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Autor*innen:R. Bertram, H. Stephanowitz, Hans-Joachim Heinrich, H.-J. Rost, C. Lüdke, J. Hassler
Persönliche Herausgeber*innen:H. J. Möller, G. Roewer
Dokumenttyp:Beitrag zu einem Sammelband
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Deutsch
Titel des übergeordneten Werkes (Deutsch):Halbleitermaterialien, Prozesstechnologie und Diagnostik
Jahr der Erstveröffentlichung:2006
Verlag:Techn. Univ. Bergakad.
Verlagsort:Freiberg
Ausgabe/Heft:337
Erste Seite:122
Letzte Seite:138
Freie Schlagwörter:Chemische Analyse; ETV ICP OES; Einkristall; Elektrothermische Verdampfung; Feststoffanalytik; Feststoffbestimmung; Halbleitereigenschaft; Kristalldefekt; LA-ICP-MS; Laserablation; Leistungselektronik; Nachweisgrenze; SS ET AAS; Siliciumcarbid; Spurenelement
Veranstaltung:Freiberger Siliziumtage 2005 ; Freiberger Forschungsforum ; 56. Berg- und Hüttenmännischer Tag
Veranstaltungsort:Freiberg, Deutschland
Beginndatum der Veranstaltung:2005-06-15
Enddatum der Veranstaltung:2005-06-17
ISSN:0071-9420
ISBN:978-3-86012-295-2
Bemerkung:
Serientitel: Freiberger Forschungshefte / B – Series title: Freiberger Forschungshefte / B
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Nein
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