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Physical limits of semiconductor laser operation: A time-resolved analysis of catastrophic optical damage

  • The early stages of catastrophic optical damage (COD) in 808 nm emitting diode lasers are mapped by simultaneously monitoring the optical emission with a 1 ns time resolution and deriving the device temperature from thermal images. COD occurs in highly localized damage regions on a 30 to 400 ns time scale which is determined by the accumulation of excess energy absorbed from the optical output. We identify regimes in which COD is avoided by the proper choice of operation parameters.

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Autor*innen:Mathias ZieglerORCiD, M. Hempel, H. E. Larsen, J. W. Tomm, P. E. Andersen, S. Clausen, S. N. Elliott, T. Elsaesser
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Applied physics letters
Jahr der Erstveröffentlichung:2010
Verlag:American Institute of Physics
Verlagsort:Melville, NY
Jahrgang/Band:97
Ausgabe/Heft:021110
Erste Seite:1
Letzte Seite:3
Freie Schlagwörter:Catastrophic optical damage; High-power diode lasers; Semiconductor laser; Thermography
DOI:10.1063/1.3463039
ISSN:0003-6951
ISSN:1077-3118
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:22.07.2010
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