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XPS and XTEM study of AlN formation by N+2 implantation of aluminium

  • X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) and cross-sectional transmission electron microscopy (XTEM) were used to study the formation of AlN films by N+2 ion implantation of aluminium at energies of 3 keV and 100 keV. In both cases, a two-stage mechanism was found, comprising first the oriented precipitation of small particles of the hexagonal AlN-phase, followed by growth and coalescence finally forming a continuous AlN-layer while increasing the implantation dose from 1×1017 cm-2 to 2×1017 cm-2. The results of both methods are in excellent agreement and furthermore provide complementary information concerning chemical composition and binding energies as well as microstructural details.

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Autor*innen:Werner ÖsterleORCiD, Ilona Dörfel, Ingrid Urban, T. Reier, J. Schultze
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Surface and coatings technology
Jahr der Erstveröffentlichung:1998
Verlag:Elsevier Science
Verlagsort:Lausanne
Jahrgang/Band:102
Ausgabe/Heft:1-2
Erste Seite:168
Letzte Seite:174
Freie Schlagwörter:AIN; Aluminium; Implantation; N2+; XPS; XTEM
DOI:10.1016/S0257-8972(98)00355-7
ISSN:0257-8972
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Bibliotheksstandort:ZS 45
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:24.03.2003
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