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Transmission electron microscopy study of rapid thermally annealed Pd/Ge contacts on In0.53Ga0.47As

  • Phase formation in rapid thermally annealed Pd/Ge contacts on In0.53Ga0.47As has been investigated by means of cross-sectional transmission electron microscopy, convergent-beam electron diffraction, and energy-dispersive x-ray analysis. Solid-phase regrowth is observed to occur similarly as in Pd/Ge contacts on GaAs or InP. The reaction starts at low temperatures with the formation of an amorphous Pd–In–Ga–As layer, which crystallizes at elevated temperatures yielding hexagonal Pd4In0.53Ga0.47As being first described in this work. At temperatures .250 °C, this phase decomposes due to epitaxial solid-phase regrowth of In0.53Ga0.47As and formation of Pd–Ge phases. The stable composition is reached at temperatures .350 °C with excess Ge diffused through top Pd–Ge to the contact interface and growing epitaxially on the semiconductor.

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Metadaten
Autoren/innen:P. Ressel, Werner ÖsterleORCiD, Ingrid Urban, A. Klein, K. Vogel, H. Kräutle
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Journal of Applied Physics
Jahr der Erstveröffentlichung:1996
Jahrgang/Band:80
Ausgabe/Heft:7
Erste Seite:3910
Letzte Seite:3914
DDC-Klassifikation:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Freie Schlagwörter:Electron microscopy; Intermetallic phases; Semiconductor; Thin film contact layer
DOI:https://doi.org/10.1063/1.363348
ISSN:0021-8979
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:01.12.2016
Referierte Publikation:Nein