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QCSE tuning in polar GaN/AlN heterostructures

  • We show both theoretically and experimentally how the encapsulation of the active region by additional guard layers can be used to achieve a significant reduction of the built-in electric fields in polar nitride heterostructures. This reduction of the QCSE results in a strongly enhanced emission intensity and faster recombination dynamics in the active region. In particular we are able to shift the emission energy of 4-nm-thick GaN nano-discs up to 3.32 eV, which is just 150 meV below the bulk GaN bandgap as compared to a red-shift of about 1 eV in a conventional heterostructure with the same thickness.

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Autor*innen:Gerald M. O. Hönig, S. Schlichting
Koautor*innen:M. R. Wagner, J. Müssener, P. Hill, T. Grieb, J. Teubert, J. Schörmann, A. Rosenauer, M. Eickhoff, A. Hoffmann, G. Callsen
Dokumenttyp:Vortrag
Veröffentlichungsform:Präsentation
Sprache:Englisch
Jahr der Erstveröffentlichung:2018
Organisationseinheit der BAM:8 Zerstörungsfreie Prüfung
8 Zerstörungsfreie Prüfung / 8.4 Akustische und elektromagnetische Verfahren
DDC-Klassifikation:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie / Analytische Chemie
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Angewandte Physik
Freie Schlagwörter:IFGARD; Nanoheterostructures; Nonpolar; Piezopolarization; QCSE; Spontaneous Polarization
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Chemie und Prozesstechnik
Energie
Material
Veranstaltung:SPIE. PHOTONICS WEST OPTO
Veranstaltungsort:San Francisco, CA, USA
Beginndatum der Veranstaltung:29.01.2018
Enddatum der Veranstaltung:31.01.2018
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:05.02.2018
Referierte Publikation:Nein
Eingeladener Vortrag:Nein
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