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Uncertainty in measurement of overlayer thickness of thermally oxidized silicon using x-ray photoelectron spectroscopy

  • Overlayers of SiO2 (nominally 4, 6 and 8 nm thick) on silicon, prepared by thermal oxidation, were investigated using x-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The thickness of these overlayers was obtained from a measurement of the photoelectron intensities originating from the substrate and the oxide overlayer by applying an appropriate quantitative model. The uncertainty budget of that thickness measurement method is given. The relative combined standard uncertainty of the method was found to be 15%. The effective attenuation lengths or the corresponding electron inelastic mean free paths are of considerable importance for both the estimated values of overlayer thickness and combined standard uncertainties. The XPS results were compared with ellipsometry data.

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Metadaten
Autor*innen:Wolfgang UngerORCiD, Thomas Gross, Andreas Lippitz, B. Güttler
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Surface and interface analysis
Jahr der Erstveröffentlichung:2000
Verlag:Wiley
Verlagsort:Chichester
Ausgabe/Heft:29
Erste Seite:891
Letzte Seite:894
Freie Schlagwörter:ESCA; Overlayer; SiO2; Uncertainty; XPS
DOI:10.1002/1096-9918(200012)29:12<891::AID-SIA943>3.0.CO;2-A
ISSN:0142-2421
ISSN:1096-9918
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:ZS 53
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:25.01.2001
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