Das Suchergebnis hat sich seit Ihrer Suchanfrage verändert. Eventuell werden Dokumente in anderer Reihenfolge angezeigt.
  • Treffer 1 von 7
Zurück zur Trefferliste

Relation between dielectric and mechanical losses in ferroelectric poly(vinylidene fluoride - hexafluoropropylene) films

  • The temperature dependences of dielectric permittivity and elastic modulus of poly(vinylidene fluoride - hexafluoropropylene) (P(VDF-HFP)) are compared and explained by use of structural data obtained by differential scanning calorimetry and X-ray analysis. Special emphasis is put on the effect of uniaxial stretching which renders the polymer ferroelectric. It is shown that dielectric and mechanical relaxations at the glass transition (aa relaxation) are closely related and not significantly affected by stretching. It is further confirmed that stretching destroys the non-polar spherulitic crystalline structure and produces relatively small-sized polar crystallites. This manifests in the disappearence of the so-called ac relaxation which is associated to molecular motions within the spherulitic crystalline lamellae. However, there are discrepancies between dielectric and mechanical losses above the glass transition which point towards a still not described structural transition.

Metadaten exportieren

Weitere Dienste

Teilen auf Twitter Suche bei Google Scholar Anzahl der Zugriffe auf dieses Dokument
Metadaten
Autor*innen:P. Frübing, F. Wang, C. Günter, R. Gerhard, M. Wegener, Matthias JaunichORCiD, Wolfgang Stark
Dokumenttyp:Beitrag zu einem Tagungsband
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):10th IEEE International conference on solid dielectrics (ICSD)
Jahr der Erstveröffentlichung:2010
Herausgeber (Institution):Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
Erste Seite:1
Letzte Seite:4(?)
Freie Schlagwörter:Dielectric relaxation; Dynamic mechanical analysis; Ferroelectric polymer; P(VDF-HFP); Poly(vinylidene(fluoride - hexafluoropropylene); Uniaxial stretching
Veranstaltung:10th IEEE International conference on solid dielectrics (ICSD)
Veranstaltungsort:Potsdam, Germany
Beginndatum der Veranstaltung:2010-07-04
Enddatum der Veranstaltung:2010-07-09
DOI:10.1109/ICSD.2010.5567936
ISBN:978-1-4244-7945-0
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Nein
Einverstanden
Diese Webseite verwendet technisch erforderliche Session-Cookies. Durch die weitere Nutzung der Webseite stimmen Sie diesem zu. Unsere Datenschutzerklärung finden Sie hier.