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Indium sulfide thin films deposited by the spray ion layer gas reaction technique

  • The Spray Ion Layer Gas Reaction (Spray-ILGAR) technique is a new variation on the ILGAR technique used to prepare chalcogenide thin films. High quality indium sulfide thin films were produced by Spray-ILGAR with an indirect bandgap of 2.2 eV and a high suitability for use as buffer layers in chalcopyrite solar cells. The process involves the cyclical spray deposition of an indium containing precursor layer followed by its conversion to sulfide using hydrogen sulfide gas. Analysis of the deposition reveals that the indium chloride based precursor is transported via the vapour phase from the spray droplets to the substrate surface.

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Autor*innen:N. A. Allsop, A. Schönmann, A. Belaidi, H.-J. Muffler, B. Mertesacker, W. Bohne, Erik Strub, J. Röhrich, M. C. Lux-Steiner, C.-H. Fischer
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Thin solid films
Jahr der Erstveröffentlichung:2006
Verlag:Elsevier
Verlagsort:Amsterdam
Jahrgang/Band:513
Ausgabe/Heft:1-2
Erste Seite:52
Letzte Seite:56
Freie Schlagwörter:Deposition process; ILGAR; Indium sulfide; Ion layer gas reaction; Spray deposition; X-ray diffraction; X-ray fluorescence
DOI:10.1016/j.tsf.2006.01.019
ISSN:0040-6090
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:19.12.2006
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