Hydrogen migration in wet-thermally grown silicon dioxide layers due to high dose 15N ion beam irradiation
- Three effects have been observed in wet-thermally grown structures under bombardement with energetic 15N ions: (1) Out-diffusion of H from the SiO2/Si system through the surface, (2) Accumulation of H at the SiO2/Si interface, (3) Changes in the optical fingerprint spectra of Ψ and Δ in dependence on λ (wavelength) obtained by ellipsometric measurements.
Autor*innen: | K. Maser, U. Mohr, R. Leihkauf, Klaus Ecker, Uwe Beck, D. Grambole, R. Grötzschel, F. Herrmann, J. Krauser, A. Weidinger |
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Dokumenttyp: | Zeitschriftenartikel |
Veröffentlichungsform: | Verlagsliteratur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Microelectronic engineering |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 1999 |
Verlag: | Elsevier |
Verlagsort: | Amsterdam |
Jahrgang/Band: | 48 |
Ausgabe/Heft: | 1-4 |
Erste Seite: | 139 |
Letzte Seite: | 142 |
DOI: | 10.1016/S0167-9317(99)00356-1 |
ISSN: | 0167-9317 |
ISSN: | 1873-5568 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access") |
Bibliotheksstandort: | Sonderstandort: Publica-Schrank |
Datum der Freischaltung: | 19.02.2016 |
Referierte Publikation: | Ja |
Datum der Eintragung als referierte Publikation: | 09.03.2012 |