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Modification and Ablation of Semiconductors by Femtosecond Laser Pulses

  • Physical and chemical phenomena resulting from irradiation of silicon and indium phosphide with ultrashort laser pulses (~100fs) were investigated with respect to the difference between single- and multiple-pulse treatment. In the single-pulse case, several processes were identified: modification, recrystallization and ablation. All processes exhibit a distinct treshold behaviour. A two photon-absorption coefficient can be determined from a single spatial ablation profile. Accumulation effects were observed for multi-pulse illumination. Different morphological features like bubbles, rippels and microcolumns were found.

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Metadaten
Autor*innen:Jörg KrügerORCiD, Jörn BonseORCiD, Matthias Lenzner
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Graue Literatur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Recent research developments in applied physics
Jahr der Erstveröffentlichung:2002
Verlag:Transworld Research Network
Verlagsort:Trivandrum
Jahrgang/Band:5
Ausgabe/Heft:2
Erste Seite:437
Letzte Seite:461
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Nein
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