Laser ablation thresholds of silicon for different pulse durations: theory and experiment
- The ultrafast laser ablation of silicon has been investigated experimentally and theoretically. The theoretical description is based on molecular dynamics (MD) simulations combined with a microscopic electronic model. We determine the thresholds of melting and ablation for two different pulse durations =20 and 500 fs. Experiments have been performed using 100 Ti:Sap-phire laser pulses per spot in air environment. The ablation thresholds were determined for pulses with a duration of 25 and 400 fs, respectively. Good agreement is obtained between theory and experiment.
Autor*innen: | H.O. Jeschke, M.E. Garcia, Matthias Lenzner, Jörn BonseORCiD, Jörg KrügerORCiD, Wolfgang Kautek |
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Dokumenttyp: | Zeitschriftenartikel |
Veröffentlichungsform: | Verlagsliteratur |
Sprache: | Englisch |
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch): | Applied surface science |
Jahr der Erstveröffentlichung: | 2002 |
Verlag: | North-Holland |
Verlagsort: | Amsterdam |
Jahrgang/Band: | 197-198 |
Erste Seite: | 839 |
Letzte Seite: | 844 |
Freie Schlagwörter: | Laser ablation; Pulse duration; Threshold of silicon |
DOI: | 10.1016/S0169-4332(02)00458-0 |
ISSN: | 0169-4332 |
ISSN: | 1873-5584 |
Verfügbarkeit des Dokuments: | Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access") |
Bibliotheksstandort: | Sonderstandort: Publica-Schrank |
Bibliotheksstandort: | ZA 83 |
Datum der Freischaltung: | 19.02.2016 |
Referierte Publikation: | Ja |
Datum der Eintragung als referierte Publikation: | 27.01.2005 |