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Laser ablation thresholds of silicon for different pulse durations: theory and experiment

  • The ultrafast laser ablation of silicon has been investigated experimentally and theoretically. The theoretical description is based on molecular dynamics (MD) simulations combined with a microscopic electronic model. We determine the thresholds of melting and ablation for two different pulse durations =20 and 500 fs. Experiments have been performed using 100 Ti:Sap-phire laser pulses per spot in air environment. The ablation thresholds were determined for pulses with a duration of 25 and 400 fs, respectively. Good agreement is obtained between theory and experiment.

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Autor*innen:H.O. Jeschke, M.E. Garcia, Matthias Lenzner, Jörn BonseORCiD, Jörg KrügerORCiD, Wolfgang Kautek
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Applied surface science
Jahr der Erstveröffentlichung:2002
Verlag:North-Holland
Verlagsort:Amsterdam
Jahrgang/Band:197-198
Erste Seite:839
Letzte Seite:844
Freie Schlagwörter:Laser ablation; Pulse duration; Threshold of silicon
DOI:10.1016/S0169-4332(02)00458-0
ISSN:0169-4332
ISSN:1873-5584
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Bibliotheksstandort:ZA 83
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:27.01.2005
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