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Ultrashort-pulse laser ablation of indium phosphide in air

  • Ablation of indium phosphide wafers in air was performed with low repetition rate ultrashort laser pulses (130 fs, 10 Hz) of 800 nm wavelength. The relationships between the dimensions of the craters and the ablation parameters were analyzed. The ablation threshold fluence depends on the number of pulses applied to the same spot. The single-pulse ablation threshold value was estimated to be fth(1)=0.16 J/cm2. The dependence of the threshold fluence on the number of laser pulses indicates an incubation effect. Morphological and chemical changes of the ablated regions were characterized by means of scanning electron microscopy and Auger electron spectroscopy.

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Autor*innen:Jörn BonseORCiD, Jerzy Wrobel, Jörg KrügerORCiD, Wolfgang Kautek
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Applied physics A
Jahr der Erstveröffentlichung:2001
Verlag:Springer
Verlagsort:Berlin
Jahrgang/Band:72
Ausgabe/Heft:1
Erste Seite:89
Letzte Seite:94
DOI:10.1007/s003390000596
ISSN:0947-8396
Verfügbarkeit des Dokuments:Weder Datei noch physisches Exemplar vorhanden ("No Access")
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:11.01.2001
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