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P1, P2 and P3 structuring of CIGSe solar cells with a single laser wavelength

  • Manufacturing of CIGSe thin film solar modules involves typically one laser structuring step (P1) and two mechanical structuring steps (P2 and P3) for serial interconnection. In our approach, complete laser structuring is successfully demonstrated by application of short nanosecond laser pulses (<10 ns) with a single, visible wavelength of 532 nm. The P1 and the P3 trenches are scribed by induced and direct ablation, respectively. For the P2 scribe, the thermal input of the ns laser pulses is used to transform the CIGSe absorber layer locally into a highly conductive compound to provide proper electrical interconnection. These findings promise further simplification and flexibility to thin film solar cell production.

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Metadaten
Autoren/innen:C. Schultz, M. Schüle, M. Richter, H.-U. Pahl, H. Endert, Jörn Bonse, I. Dirnstorfer, B. Rau, R. Schlatmann, V. Quaschning, F. Fink, B. Stegemann
Dokumenttyp:Beitrag zu einem Tagungsband
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):26th European photovoltaic solar energy conference and exhibition (Proceedings)
Jahr der Erstveröffentlichung:2011
Erste Seite:2540
Letzte Seite:2543
Freie Schlagwörter:Ablation; Cu(InGa)Se2; Electrical properties; Laser processing; Nanosecond pulses
Veranstaltung:26th European photovoltaic solar energy conference and exhibition
Veranstaltungsort:Hamburg, Germany
Beginndatum der Veranstaltung:05.09.2011
Enddatum der Veranstaltung:08.09.2011
DOI:https://doi.org/10.4229/26thEUPVSEC2011-3AV.1.35
ISBN:3-936338-27-2
Verfügbarkeit des Volltexts:Volltext-PDF im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Nein