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Femtosecond laser-induced removal of silicon nitride layers from doped and textured silicon wafers used in photovoltaics

  • The removal of a 75- to 90-nm-thick passivating silicon nitride antireflection coating from standard textured multicrystalline silicon photovoltaic wafers with a typical diffused 90-Ω/sq-emitter upon irradiation with near-infrared femtosecond laser pulses (790 nm central wavelength, 30 fs pulse duration) is studied experimentally. The laser irradiation areas are subsequently characterized by complementary optical microscopy, scanning electron microscopy and depth profiling chemical analyses using secondary ion mass spectrometry. The results clarify the thin-film femtosecond laser ablation scenario and outline the process windows for selective antireflection coating removal.

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Metadaten
Autoren/innen:Jörn Bonse, Guido Mann, Jörg Krüger, M. Marcinkowski, M. Eberstein
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Thin solid films
Jahr der Erstveröffentlichung:2013
Organisationseinheit der BAM:6 Materialschutz und Oberflächentechnik
6 Materialschutz und Oberflächentechnik / 6.4 Technologien mit Nanowerkstoffen
Verlag:Elsevier
Verlagsort:Amsterdam
Jahrgang/Band:542
Erste Seite:420
Letzte Seite:425
Freie Schlagwörter:FS-laser ablation; Laser processing; Photovoltaics; Silicon nitride; Solar cell
DOI:https://doi.org/10.1016/j.tsf.2013.07.005
ISSN:0040-6090
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:20.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:05.08.2013