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Modelling of single UV nanosecond pulsed laser surface modifications of silicon

  • Irradiation with a single spatially Gaussian-shaped nanosecond laser pulse in the melting regime can result in a characteristic annular change in the surface morphology of crystalline silicon. This has been verified experimentally in a variety of situations, where dimple-shaped surface topographies are produced. In a recent work we have investigated the induced changes in the surface topography upon exposure to wavelengths in the visible and near infrared spectral region. Irradiation in the UV requires a more detailed analysis due to the enhanced absorption of the material. In the present analysis, we determine under which conditions our previous model can be used and the corresponding results are presented.

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Autor*innen:C. Acosta-Zepeda, S. Saavedra, Jörn BonseORCiD, E. Haro-Poniatowski
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Laser Physics
Jahr der Erstveröffentlichung:2020
Organisationseinheit der BAM:6 Materialchemie
6 Materialchemie / 6.2 Material- und Oberflächentechnologien
Verlag:IOP Publishing / Astro Ltd
Verlagsort:Bristol, United Kingdom
Jahrgang/Band:30
Ausgabe/Heft:8
Erste Seite:086003-1
Letzte Seite:086003-4
DDC-Klassifikation:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Angewandte Physik
Freie Schlagwörter:Laser; Silicon; Surface modification
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Energie
Material
Material / Nano
DOI:10.1088/1555-6611/ab9b2c
ISSN:1555-6611
ISSN:1054-660X
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:20.07.2020
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:17.08.2020
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