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Femtosecond pulse laser processing of TiN on silicon

  • Ultrashort pulse laser microstructuring (pulse duration 130 fs, wavelength 800 nm, repetition rate 2 Hz) of titanium nitride (TiN) films on silicon substrates was performed in air using the direct focusing technique. The lateral and vertical precision of laser ablation was evaluated. The TiN ablation threshold changed with the number of pulses applied to the surface due to an incubation effect. An ablation depth per pulse below the penetration depth of light was observed. Columnar structures were formed in the silicon substrate after drilling through the TiN layer.

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  • 1-s2.0-S016943329900481X-main.pdf
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Metadaten
Autoren/innen:Jörn Bonse, Pascale Rudolph, Jörg Krüger, Steffen Baudach, Wolfgang Kautek
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Applied surface science
Jahr der Erstveröffentlichung:2000
Verlag:North-Holland
Verlagsort:Amsterdam
Jahrgang/Band:154-155
Erste Seite:659
Letzte Seite:663
Freie Schlagwörter:Femtosecond laser ablation; Optical properties; Silicon; Titanium nitride
DOI:https://doi.org/10.1016/S0169-4332(99)00481-X
ISSN:0169-4332
ISSN:1873-5584
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:27.07.2000