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Single Femtosecond Laser Pulse induced Amorphization, Re-crystallization and Native Oxide Removal at Silicon Wafer Surfaces

  • Single femtosecond laser pulse induced amorphization, re-crystallization and native oxide layer removal at silicon wafer surfaces of different crystal orientation is studied via spectroscopic imaging ellipsometry, atomic force microscopy, and high-resolution transmission electron microscopy.

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Autor*innen:Jörn BonseORCiD
Koautor*innen:Camilo Florian, Daniel Fischer, K. Freiberg, M. Duwe, Mario Sahre, S. Schneider, Andreas Hertwig, Jörg Krüger, M. Rettenmayr, Uwe Beck, A. Undisz
Dokumenttyp:Vortrag
Veröffentlichungsform:Präsentation
Sprache:Englisch
Jahr der Erstveröffentlichung:2023
Organisationseinheit der BAM:6 Materialchemie
6 Materialchemie / 6.1 Oberflächen- und Dünnschichtanalyse
6 Materialchemie / 6.2 Material- und Oberflächentechnologien
DDC-Klassifikation:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Ingenieurwissenschaften und zugeordnete Tätigkeiten
Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Angewandte Physik
Freie Schlagwörter:Femtosecond laser; Laser-induced amorphization; Native oxide layer; Spectroscopic imaging ellipsometry; Transmission electron microscopy
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Energie
Material
Material / Nano
Veranstaltung:2023 Conference on Lasers and Electro-Optics/Europe – European Quantum Electronics Conferences
Veranstaltungsort:Munich, Germany
Beginndatum der Veranstaltung:26.06.2023
Enddatum der Veranstaltung:30.06.2023
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:03.07.2023
Referierte Publikation:Nein
Eingeladener Vortrag:Nein
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