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Regularly arranged indium islands on glass/molybdenum substrates upon femtosecond laser and physical vapor deposition processing

  • A bottom-up approach is presented for the production of arrays of indium islands on a molybdenum layer on glass, which can serve as micro-sized precursors for indium compounds such as copper-indium-gallium-diselenide used in photovoltaics. Femtosecond laser ablation of glass and a subsequent deposition of a molybdenum film or direct laser processing of the molybdenum film both allow the preferential nucleation and growth of indium islands at the predefined locations in a following indium-based physical vapor deposition (PVD) process. A proper choice of laser and deposition parameters ensures the controlled growth of indium islands exclusively at the laser ablated spots. Based on a statistical analysis, these results are compared to the non-structured molybdenum surface, leading to randomly grown indium islands after PVD.

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  • 2016-Ringleb-APL108_111904.pdf
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Autoren/innen:F. Ringleb, K. Eylers, T. Teubner, T. Boeck, Christian Symietz, Jörn Bonse, Stefan Andree, Jörg Krüger, B. Heidmann, M. Schmid, M. Lux-Steiner
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Applied Physics Letters
Jahr der Erstveröffentlichung:2016
Organisationseinheit der BAM:6 Materialschutz und Oberflächentechnik
6 Materialschutz und Oberflächentechnik / 6.4 Technologien mit Nanowerkstoffen
Herausgeber (Institution):AIP Publishing LLC
Jahrgang/Band:108
Ausgabe/Heft:11
Erste Seite:111904-1
Letzte Seite:111904-4
DDC-Klassifikation:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften / Angewandte Physik
Freie Schlagwörter:Femtosecond laser; Indium; Microconcentrator solar cell; Molybdenum substrate; Physical vapor deposition
Themenfelder/Aktivitätsfelder der BAM:Energie
DOI:https://doi.org/10.1063/1.4943794
URL:http://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcAuth=Alerting&SrcApp=Alerting&DestApp=WOS&DestLinkType=FullRecord;UT=WOS:000373058400016
ISSN:0003-6951
Verfügbarkeit des Dokuments:Datei im Netzwerk der BAM verfügbar ("Closed Access")
Datum der Freischaltung:30.03.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:26.04.2016