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Femtosecond laser ablation of indium phosphide in air: dynamical, structural and morphological evolution

  • The irradiation of single-crystalline indium phosphide (c-InP) by Ti:sapphire femtosecond laser pulses (130 fs, 800 nm) in air is studied by means of in-situ time resolved reflectivity measurements [fs-time-resolved microscopy (100 fs-10 ns) and point probing analysis (ns - µs)] and by complementary ex-situ surface analytical methods (Micro Raman Spectroscopy, Scanning Force, and Optical Microscopy). The dynamics of melting, ablation, and optical breakdown as well as structural changes resulting from rapid solidification are investigated in detail. Different laser-induced surface morphologies are characterized and discussed on the basis of recent ablation and optical breakdown models.

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Metadaten
Autoren/innen:Jörn Bonse, G. Bachelier, S. M. Wiggins, J. Siegel, J. Solis, Jörg Krüger, Heinz Sturm
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Journal of optoelectronics and advanced materials
Jahr der Erstveröffentlichung:2010
Verlag:INOE & INFM
Verlagsort:Bucharest
Jahrgang/Band:12
Ausgabe/Heft:3
Erste Seite:421
Letzte Seite:426
Freie Schlagwörter:Femtosecond laser ablation; Indium phosphide; Optical breakdown; Semiconductor; Time-resolved measurements
ISSN:1454-4164
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:19.02.2016
Referierte Publikation:Ja
Datum der Eintragung als referierte Publikation:01.04.2010