• Treffer 6 von 12
Zurück zur Trefferliste

Sensor high throughput screening using photocurrent measurements in silicon

  • A new high throughput screening method to characterise alloys used as gate metal of Metal/solid Electrolyte/Insulator/Semiconductor (MEIS) gas-sensors was developed. Samples with continuous gradients in alloy concentration for the system Pd1-x-yNiyCoy were analysed regarding H2 sensitivity. First results showed reduced poisoning effects of H2S for Ni concentrations between 4-11 at-% in Pd.

Metadaten exportieren

Weitere Dienste

Teilen auf Twitter Suche bei Google Scholar Anzahl der Zugriffe auf dieses Dokument
Metadaten
Autor*innen:S. Linke, Julius Kühn, K. Nörthemann, Wolfgang UngerORCiD, W. Moritz
Dokumenttyp:Zeitschriftenartikel
Veröffentlichungsform:Verlagsliteratur
Sprache:Englisch
Titel des übergeordneten Werkes (Englisch):Procedia engineering
Jahr der Erstveröffentlichung:2012
Verlag:Elsevier
Verlagsort:Amsterdam [u.a.]
Jahrgang/Band:47
Erste Seite:1195
Letzte Seite:1198
Freie Schlagwörter:H2 sensor; High throughput screening; LAPS; MEIS sensor; Ternary alloy
Veranstaltung:Eurosensors XXVI
Veranstaltungsort:Kraków, Poland
Beginndatum der Veranstaltung:2012-09-09
Enddatum der Veranstaltung:2012-09-12
DOI:10.1016/j.proeng.2012.09.366
ISSN:1877-7058
Verfügbarkeit des Dokuments:Physisches Exemplar in der Bibliothek der BAM vorhanden ("Hardcopy Access")
Bibliotheksstandort:Sonderstandort: Publica-Schrank
Datum der Freischaltung:20.02.2016
Referierte Publikation:Nein
Einverstanden
Diese Webseite verwendet technisch erforderliche Session-Cookies. Durch die weitere Nutzung der Webseite stimmen Sie diesem zu. Unsere Datenschutzerklärung finden Sie hier.