TY - GEN A1 - Gruska, B. A1 - Wandel, K. A1 - Procop, Mathias ED - Lengeler, B. T1 - The InGaAs/SiO2 interface investigated by angle resolved XPS and ellipsometry T2 - 4th International Conference on the Formation of Semiconductor Interfaces (ICFSI) CY - Jülich, Germany DA - 1993-06-14 PY - 1993 SN - 981-021559-2 VL - 4 SP - 373 EP - 376 PB - World Scientific CY - Singapore AN - OPUS4-7088 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias A1 - Röder, A. T1 - An interlaboratory comparison of energy dispersive X-ray microanalysis (EDX) of titanium and zirkonium nitrides N2 - The results of an interlaboratory comparison of energy dispersive X-ray microanalysis of TiN0.84 and ZrN were presented. The microprobe group of the German Physical Society (DPG) and the Federal Institute for Materials Research and Testing (BAM) had initiated the interlaboratory comparison. The primary aim was to test modern EDX systems equipped with ultrathin windows concerning the accuracy and reliability of the analysis of compounds containing light elements. The participants from 23 laboratories performed the analysis at different primary energies, in the standard-less mode as well as on the base of own standards, and considering Ti-K or Ti-L in case of TiN0.84. The results show a slight overestimation of the nitrogen content and a large standard deviation from the mean value. Reasons for the scattering of the results are discussed. T2 - 8th Symposium on Solid State Analysis DA - 1995-07-03 KW - Titanium nitride KW - Zirconium nitride KW - EDX KW - X-rays KW - Microanalysis PY - 1997 DO - https://doi.org/10.1007/BF01246159 SN - 0026-3672 SN - 1436-5073 VL - 125 IS - 1-4 SP - 33 EP - 39 PB - Springer CY - Wien AN - OPUS4-7089 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias A1 - Hübner, Wolfgang A1 - Wäsche, Rolf A1 - Nieland, S. A1 - Ehrmann, O. T1 - Fast Elemental Mapping in Materials Science KW - Electron probe microanalysis KW - EPMA KW - Energy dispersive X-ray spectroscopy KW - EDS KW - Elemental mapping PY - 2002 UR - http://www.microscopy-analysis.com/sites/default/files/magazine_pdfs/mag%20179_2002_Jan_Procop_1.pdf SN - 0958-1952 IS - January SP - 5 EP - 6 PB - Rolston Gordon Comm. CY - Bookham, Surrey AN - OPUS4-7091 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias T1 - XPS data for sputter-cleaned In0.53Ga0.47As, GaAs, and InAs surfaces PY - 1992 UR - http://www.sciencedirect.com/science?_ob=PublicationURL&_tockey=%23TOC%235251%231992%23999409998%23276008%23FLP%23&_cdi=5251&_pubType=J&_auth=y&_acct=C000049503&_version=1&_urlVersion=0&_userid=963821&md5=dc56897f6b3c86cf4d7ea713dee69341 SN - 0368-2048 SN - 1873-2526 VL - 59 SP - R1 EP - R10 PB - Elsevier CY - Amsterdam AN - OPUS4-7092 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias T1 - Über Probleme bei der EDX-Analyse im Energiebereich unterhalb 1 keV T2 - 27. Kolloquium des Arbeitskreises für Elektronenmikroskopische Direktabbildung und Analyse von Oberflächen (EDO) CY - Saarbrücken, Deutschland DA - 1994-10-04 KW - X-ray spectrometry KW - EDX KW - X-ray analysis KW - Quantitative analysis PY - 1994 SN - 0340-3815 VL - 27 SP - 1 EP - 5 PB - Ehrenwerth CY - Münster, Westf. AN - OPUS4-7093 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias T1 - Energy dispersive X-ray microanalysis at low energies KW - Microanalysis KW - X-ray spectrometry KW - Energy dispersive spectrometry KW - EDS KW - X-ray detectors PY - 1998 SN - 0958-1952 IS - March SP - 9 EP - 10 PB - Rolston Gordon Comm. CY - Bookham, Surrey AN - OPUS4-7094 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias A1 - Wandel, K. A1 - Verucchi, R. T1 - Ex-situ XPS-investigation of the interface between PE-CVD SiO2 and wet chemically etched MO-CVD epitaxial layers of In0.53Ga0.47As PY - 1995 SN - 0937-0633 VL - 353 SP - 647 EP - 654 PB - Springer CY - Berlin AN - OPUS4-7095 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias A1 - Wandel, K. T1 - Photoelectron spectroscopic and ellipsometric investigation of In0.53Ga0.47As surfaces after wet chemical etching PY - 1993 SN - 0937-0633 VL - 364 SP - 23 EP - 28 PB - Springer CY - Berlin AN - OPUS4-7096 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias A1 - Klein, A. A1 - Rechenberg, I. A1 - Krüger, D. T1 - AES Depth profiling of semiconducting multilayer structures using an ion beam bevelling technique PY - 1997 SN - 0937-0633 VL - 358 SP - 358 EP - 360 PB - Springer CY - Berlin AN - OPUS4-7097 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias A1 - Klein, A. A1 - Rechenberg, I. A1 - Krüger, D. T1 - AES Depth Profiling of Semiconducting Epitaxial Layers with Thicknesses in the Nanometre Range Using an Ion Beam Bevelling Technique KW - AES KW - Depth profiling KW - Ion beam bevelling PY - 1997 SN - 0142-2421 SN - 1096-9918 VL - 25 SP - 458 EP - 463 PB - Wiley CY - Chichester AN - OPUS4-7098 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Procop, Mathias T1 - Ein Beitrag zu kalibrierten Nanometerschichten für unterschiedliche Anwendungsbereiche T2 - Maschinenbau und Nanotechnik: 47. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium der TU Ilmenau CY - Ilmenau, Germany DA - 2002-09-23 PY - 2002 AN - OPUS4-3620 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias A1 - Scholze, F. T1 - Synchrotron Radiation for the Characterization of Energy Dispersive X-ray Spectrometers KW - Röntgenspektroskopie KW - Detektoren KW - Elektronenstrahl-Mikroanalyse KW - ESMA KW - EPMA KW - Röntgenfluoreszenzanalyse KW - RFA KW - XRF PY - 2004 DO - https://doi.org/10.1017/S1431927604880152 SN - 1431-9276 SN - 1435-8115 VL - 10 IS - 2 SP - 98 EP - 99 PB - Cambridge University Press CY - New York, NY AN - OPUS4-3720 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - GEN A1 - Hasche, K. A1 - Ulm, G. A1 - Herrmann, K. A1 - Krumrey, M. A1 - Ade, G. A1 - Sümpel, J. A1 - Busch, I. A1 - Thomsen-Schmidt, P. A1 - Schädlich, S. A1 - Schindler, A. A1 - Frank, W. A1 - Procop, Mathias A1 - Beck, Uwe T1 - About the calibration of thickness standards on the nanometer scale T2 - 3rd International EUSPEN conference ; 3rd International conference. European Society for Precision Engineering and Nanotechnology ; 4th General meeting. European Society for Precision Engineering and Nanotechnology CY - Eindhoven, The Netherlands DA - 2002-05-26 PY - 2002 SN - 90-386-2883-8 SP - 1 EP - 5 CY - Eindhoven AN - OPUS4-2283 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Hasche, K. A1 - Herrmann, K. A1 - Thomsen-Schmidt, P. A1 - Krumrey, M. A1 - Ulm, G. A1 - Ade, G. A1 - Pohlenz, F. A1 - Stümpel, J. A1 - Busch, I. A1 - Schädlich, S. A1 - Frank, W. A1 - Hirsch, D. A1 - Schindler, A. A1 - Procop, Mathias A1 - Beck, Uwe T1 - Ein Beitrag zu kalibrierten Nanometerschichten für unterschiedliche Anwendungsbereiche N2 - Nanotechnologien werden gegenwärtig als leistungsfähige Oberflächentechniken in erheblichem Umfange industriell genutzt. Dabei spielen dünne Schichten und deren Kenndaten eine wesentliche Rolle, z.B. als Röntgenspiegel oder optische und magnetooptische Datenträger. Die Schichtdicke zählt hierbei zu den technologisch wichtigen Parametern. Abgeleitet von Anwenderinteressen, werden für die Röntgenreflektometrie (XRR bzw. GIXR), Elektronenstrahl-Mikroanalyse (EPMA) und Röntgenfluoreszenzanalyse (XRF) einerseits und die Ellipsometrie andererseits zugeschnittene Schichtdickenmaßverkörperungen (SDM) entwickelt, gefertigt und untersucht. Das Ziel ist die Bereitstellung praxistauglicher, kalibrierter SDM, im weiteren Schichtdickennormale (SDN) genannt. SDN sind Maßverkörperungen, für die der Schichtdickenwert mit einer definierten Messunsicherheit bekannt und auf ein metrologisch anerkanntes Längennormal zurückgeführt ist. Berichtet wird über die Herstellung und messtechnische Charakterisierung der beiden spezifischen Varianten von Maßverkörperungen. T2 - 47. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium. Technische Universität Ilmenau ; Herbstkonferenz der Gesellschaft für Arbeitswissenschaft ; 6. Workshop Multimedia für Bildung und Wirtschaft CY - Ilmenau, Deutschland DA - 2002-09-23 PY - 2002 UR - http://publica.fraunhofer.de/documents/N-14872.html VL - 47 SP - 568 EP - 569 PB - Techn. Univ. CY - Ilmenau AN - OPUS4-2284 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Koenders, L. A1 - Hasche, K. A1 - Ulm, G. A1 - Krumrey, M. A1 - Ade, G. A1 - Stümpel, J. A1 - Busch, I. A1 - Thomsen-Schmidt, P. A1 - Schädlich, S. A1 - Schindler, A. A1 - Frank, W. A1 - Beck, Uwe A1 - Procop, Mathias T1 - Über die metrologische Charakterisierung von Schichtdicken Standards im Nanometerbereich T2 - 12th Applied Surface Analysis Workshop ; AOFA 12 CY - --- DA - 2002-09-15 PY - 2002 AN - OPUS4-2285 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - GEN A1 - Scholze, F. A1 - Procop, Mathias T1 - High-accuracy calibration of energy-dispersive detectors using undispersed and monochromatized radiation PY - 2004 UR - http://www.helmholtz-berlin.de/media/media/oea/web/pr_webseite/druckschriften/berichte/bessy/annualreport2003.pdf#page=14 SN - 0179-4159 SP - 14 EP - 16 PB - Berliner Elektronenspeicherring-Gesellschaft für Synchrotronstrahlung CY - Berlin AN - OPUS4-4188 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER -