TY - GEN A1 - Becker, S. A1 - Beckmann, Jörg A1 - Braun, M.-T. A1 - Cojocari, O. A1 - Feige, V. A1 - Fischer, B. A1 - Friederich, F. A1 - Globisch, B. A1 - Hechtfischer, G. A1 - Hens, K. A1 - Hübers, H.-W. A1 - Jelonnek, J. A1 - Jonuscheit, J. A1 - Keil, A. A1 - Kleine-Ostmann, T. A1 - Marquardt, E. A1 - Mayr, M. A1 - Nickel, H.-U. A1 - Nüßler, D. A1 - Peichl, M. A1 - Peters, O. A1 - Schür, J. A1 - Sprenger, T. A1 - Steiger, A. A1 - van Frank, S. A1 - Vieweg, N. A1 - Wilk, R. ED - Jonuscheit, J. ED - Marquardt, E. T1 - Terahertzsysteme und Anwendungsfelder N2 - Der Frequenzbereich der Terahertzwellen liegt im elektromagnetischen Spektrum zwischen den Mikrowellen und dem infraroten Licht – also etwa im Bereich von 0,1 bis 10 Terahertz (THz). Der VDI-Statusreport „Terahertzsysteme und Anwendungen“ stellt die unterschiedlichen Konzepte für Terahertzsysteme vor und zeigt Anwendungsbeispiele, bei denen die Terahertztechnik erfolgreich eingesetzt wird. Umfangreiche Literaturangaben ermöglichen eine intensivere Beschäftigung mit allen Themen des VDI-Statusreports. KW - Terahertzsysteme PY - 2020 UR - https://www.vdi.de/ueber-uns/presse/publikationen/details/terahertzsysteme-und-anwendungsfelder SP - 1 EP - 44 PB - Verein Deutscher Ingenieure (VDI) CY - Düsseldorf AN - OPUS4-50556 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Abou-Ras, D. A1 - Caballero, R. A1 - Fischer, C.-H. A1 - Kaufmann, C.A. A1 - Lauermann, I. A1 - Mainz, R. A1 - Mönig, H. A1 - Schöpke, A. A1 - Stephan, C. A1 - Streeck, C. A1 - Schorr, S. A1 - Eicke, A. A1 - Döbeli, M. A1 - Gade, B. A1 - Hinrichs, J. A1 - Nunney, T. A1 - Dijkstra, H. A1 - Hoffmann, V. A1 - Klemm, D. A1 - Efimova, V. A1 - Bergmaier, A. A1 - Dollinger, G. A1 - Wirth, Thomas A1 - Unger, Wolfgang A1 - Rockett, A.A. A1 - Perez-Rodriguez, A. A1 - Alvarez-Garcia, J. A1 - Izquierdo-Roca, V. A1 - Schmid, T. A1 - Choi, P.-P. A1 - Müller, M. A1 - Bertram, F. A1 - Christen, J. A1 - Khatri, H. A1 - Collins, R.W. A1 - Marsillac, S. A1 - Kötschau, I. T1 - Comprehensive comparison of various techniques for the analysis of elemental distributions in thin films N2 - The present work shows results on elemental distribution analyses in Cu(In,Ga)Se2 thin films for solar cells performed by use of wavelength-dispersive and energy-dispersive X-ray spectrometry (EDX) in a scanning electron microscope, EDX in a transmission electron microscope, X-ray photoelectron, angle-dependent soft X-ray emission, secondary ion-mass (SIMS), time-of-flight SIMS, sputtered neutral mass, glow-discharge optical emission and glow-discharge mass, Auger electron, and Rutherford backscattering spectrometry, by use of scanning Auger electron microscopy, Raman depth profiling, and Raman mapping, as well as by use of elastic recoil detection analysis, grazing-incidence X-ray and electron backscatter diffraction, and grazing-incidence X-ray fluorescence analysis. The Cu(In,Ga)Se2 thin films used for the present comparison were produced during the same identical deposition run and exhibit thicknesses of about 2 µm. The analysis techniques were compared with respect to their spatial and depth resolutions, measuring speeds, availabilities, and detection limits. KW - Elemental distributions KW - Comparison KW - Depth profiling KW - Chemical mapping KW - Thin films KW - Solar cells KW - Chalcopyrite-type KW - Cu(In,Ga)Se2 PY - 2011 DO - https://doi.org/10.1017/S1431927611000523 SN - 1431-9276 SN - 1435-8115 VL - 17 IS - 5 SP - 728 EP - 751 PB - Cambridge University Press CY - New York, NY AN - OPUS4-24506 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Sapich, B. A1 - Fischer, T. A1 - Haferkorn, J. A1 - Geue, T. A1 - Fritz, Andreas A1 - Schönhals, Andreas A1 - Date, R. A1 - Fawcett, A. A1 - Stumpe, J. T1 - Anisotropic films of poly(olefin sulfone)s with cinnamoyl side groups prepared by self-organisation and photoreactions T2 - Liquid Crystals and its practical application PY - 2006 VL - 4 IS - 18 SP - 9 EP - 21 AN - OPUS4-14594 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Ernst, O. C. A1 - Böttcher, K. A1 - Fischer, Daniel A1 - Uebel, D. A1 - Teubner, T. A1 - Boeck, T. T1 - Morphogenesis of liquid indium microdroplets on solid molybdenum surfaces during solidification at normal pressure and under vacuum conditions N2 - Electrical and optical applications based on micro- and nanoparticles have specific demands on their interfacial properties. These properties are strongly related to atmospheric conditions to which the particles were exposed during their formation. In this study, metallic In microparticles are synthesized by solidification of In droplets on an amorphous Mo substrate at normal pressure and under vacuum conditions. The influence of ambient pressure on the interface and surface shape is investigated. While solidification at atmospheric pressure leads to collapsed particles with undisturbed contact to the substrate, low pressures result in smooth spherical particles but with cavities inside. Numerical simulations with COMSOL Multiphysics reveal different temperature profiles and heat flux in particles during solidification for both cases. This indicates different starting conditions of the solidification, which leads to the described phenomenon eventually. The investigation of the varying process conditions on the particle shape in combination with the calculated and measured temperature curves over time gives valuable insights into new approaches to synthesize micro- and nanoparticles with defined interfacial properties. Both ambient pressure and cooling rate provide well-controllable and reliable parameters for the realization of different interfacial shapes. KW - Morphogenesis KW - Indium KW - Microdroplet KW - Molybdenum PY - 2022 DO - https://doi.org/10.1021/acs.langmuir.1c02744 SN - 0743-7463 SN - 1520-5827 VL - 38 IS - 2 SP - 762 EP - 768 PB - ACS Publ. CY - Washington, DC AN - OPUS4-54242 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Alder-Rangel, A. A1 - Idnurm, A. A1 - Brand, A. A1 - Brown, A. A1 - Gorbushina, Anna A1 - Kelliher, C. A1 - Campos, C. A1 - Levin, D. A1 - Bell-Pedersen, D. A1 - Dadachova, E. A1 - Bauer, F. A1 - Gadd, G. A1 - Braus, G. A1 - Braga, G. A1 - Brancini, G. A1 - Walker, G. A1 - Druzhinina, I. A1 - Pocsi, I. A1 - Dijksterhuis, J. A1 - Aguirre, J. A1 - Hallsworth, J. A1 - Schumacher, Julia A1 - Ho Wong, K. A1 - Selbmann, L. A1 - Corrochano, L. A1 - Kupiec, M. A1 - Momany, M. A1 - Molin, M. A1 - Requena, N. A1 - Yarden, O. A1 - Cordero, R. A1 - Fischer, R. A1 - Pascon, R. A1 - Mancinelli, R. A1 - Emri, T. A1 - Basso, T. A1 - Rangel, D. T1 - The Third International Symposium on Fungal Stress - ISFUS N2 - Stress is a normal part of life for fungi, which can survive in environments considered inhospitable or hostile for other organisms. Due to the ability of fungi to respond to, survive in, and transform the environment, even under severe stresses, many researchers are exploring the mechanisms that enable fungi to adapt to stress. The International Symposium on Fungal Stress (ISFUS) brings together leading scientists from around the world who research fungal stress. This article discusses presentations given at the third ISFUS, held in Sao Jose dos Campos, Sao Paulo, Brazil in 2019, thereby summarizing the state-of-the-art knowledge on fungal stress, a field that includes microbiology, agriculture, ecology, biotechnology, medicine, and astrobiology. T2 - International Symposium on Fungal Stress (ISFUS) CY - Sao Jose dos Campos, Brazil DA - 20.05.2019 KW - Agricultural mycology KW - Fungal stress mechanisms and responses KW - Industrial mycology KW - Medical mycology PY - 2020 DO - https://doi.org/10.1016/j.funbio.2020.02.007 VL - 124 IS - 5 SP - 235 EP - 252 PB - Elsevier Ltd. AN - OPUS4-50953 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - GEN A1 - Beck, M. A1 - Becker, S. A1 - Beckmann, Jörg A1 - Cojocari, O. A1 - Feige, V. A1 - Fischer, B. A1 - Friederich, F. A1 - Globisch, B. A1 - Haupt, H. A1 - Hechtfischer, G. A1 - Hens, K. A1 - Hübers, H.-W. A1 - Jelonnek, J. A1 - Jonuscheit, J. A1 - Keil, A. A1 - Kleine-Ostmann, T. A1 - Nickel, H.-U. A1 - Peichl, M. A1 - Peters, O. A1 - Sprenger, T. A1 - Steiger, A. A1 - van Frank, S. A1 - Vieweg, N. A1 - Werner, M. A1 - Wilk, R. T1 - Terahertzsysteme - Anwendungsfelder und Systeme N2 - Die nicht ionisierende elektromagnetische Strahlung im Bereich von Terahertz-Frequenzen ermöglicht berührungslose und zerstörungsfreie Mess- und Prüftechnik in zahlreichen Bereichen. Nach ersten Anwendungen in der Astronomie und der Atmosphärenforschung wurden in letzter Zeit Anwendungsfelder in der Sicherheitstechnik, der Medizintechnik, der Nachrichtentechnik und der zerstörungsfreien Prozess- und Qualitätskontrolle erschlossen. Dielektrische Materialien wie Kunststoffe und Keramiken können von Terahertz-Wellen durchdrungen werden. Das ermöglicht Untersuchungen des Objektinneren ohne spezielle Schutzmaßnahmen, wie sie z.B. beim Röntgen notwendig sind. Die Richtlinie erleichtert die Verständigung zwischen Nutzern, Herstellern und dem Vertrieb von Terahertz-Systemen. In der Richtlinie werden bekannte Einsatzgebiete sowie die eingesetzten Verfahren und Funktionsprinzipien aufgeführt, um den Leser bei der Auswahlentscheidung zu unterstützen. Nach einer kurzen Einführung in die physikalischen Grundlagen und Hinweisen zur elektromagnetischen Verträglichkeit, zum Strahlenschutz und zur regulierten Frequenzvergabe werden die verschiedenen Geräteklassen von Terahertz-Systemen ausführlich vorgestellt. Die Richtlinie gibt Hinweise zur messtechnischen Charakterisierung von Terahertz-Wellen. Einsatzgebiete von Terahertz-Systemen, wie die zerstörungsfreie Prüfung, die Dicken- und Abstandsmessung, die Tomografie und die chemische Analytik, werden mit ihren spezifischen Eigenschaften im Detail beschrieben. Umfangreiche Literaturverweise vereinfachen eine vertiefte Beschäftigung mit den Themen der Richtlinie. Eine tabellarische Übersicht mit einer Zusammenfassung, welche Terahertz-Systeme für welche Anwendungsfelder eingesetzt werden können, vervollständigt die Richtlinie. KW - Terahertzsysteme KW - THz-Wellen PY - 2018 UR - https://www.vdi.de/5590 VL - VDI/VDE 5590 Blatt 2 SP - 1 EP - 27 PB - VDI-Verlag CY - Düsseldorf ET - Entwurf - November 2018 AN - OPUS4-46727 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - GEN A1 - Becker, S. A1 - Beckmann, Jörg A1 - Cojocari, O. A1 - Feige, V. A1 - Fischer, B. A1 - Friederich, F. A1 - Globisch, B. A1 - Hechtfischer, G. A1 - Hens, K. A1 - Hübers, H.-W. A1 - Jelonnek, J. A1 - Jonuscheit, J. A1 - Keil, A. A1 - Kleine-Ostmann, T. A1 - Mayr, M. A1 - Nüßler, D. A1 - Peichl, M. A1 - Peters, O. A1 - Schür, J. A1 - Sprenger, T. A1 - Steiger, A. A1 - van Frank, S. A1 - Vieweg, N. A1 - Wilk, R. T1 - Terahertzsysteme - Zeitbereichsspektrometer (TDS-Systeme) N2 - Diese Richtlinie definiert Kenngrößen und Messverfahren, um Terahertzsysteme für die Zeitbereichsspektroskopie (TDS)zu spezifizieren. So können Hersteller ihre Systeme übereinstimmend beschreiben und Anwender einfach Systeme vergleichen. Systeme für die Terahertz-Zeitbereichsspektroskopie sind aktive Systeme und nutzen verschiedene Techniken sowohl zur Erzeugung als auch zur zeitaufgelösten Messung von breitbandigen Terahertzimpulsen. Die dazugehörigen Terahertzspektren und -Phasen werden nach einer zeitlichen Abtastung über eine Fourier-Transformation berechnet. In dieser Richtlinie wird ein Überblick über die Funktionsweisen von Zeitbereichsspektrometern gegeben, die eingesetzten Messverfahren näher erläutert sowie die benötigten Begriffe und Kenngrößen definiert. Die Richtlinie konzentriert sich dabei auf Systeme, die auf sogenannten Abtastmessverfahren (Sampling-Messverfahren) basieren. KW - TDS-Systeme PY - 2020 UR - https://www.vdi.de/5590 VL - VDI/VDE 5590 Blatt 2 SP - 1 EP - 22 PB - VDI-Verlag CY - Düsseldorf ET - Entwurf - Oktober 2020 AN - OPUS4-51947 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Pospiech, D. A1 - Fischer, O. A1 - Korwitz, A. A1 - Hoffmann, T. A1 - Köppl, T. A1 - Altstädt, V. A1 - Ciesielski, M. A1 - Döring, M. A1 - Brehme, Sven A1 - Schartel, Bernhard A1 - Vollmerhausen, D. T1 - Designed flame retardancy with phosphorus polymers N2 - Polymeric flame retardants offer the possibility to match effective flame retardancy with the requirements of new regulations. Synthesis, properties and efficiency in polymer matrices are discussed for two systems, epoxy resins as well as poly(butylene terephthalate). T2 - 25th Annual conference: Recent advances in flame retardancy of polymeric materials CY - Stamford, Connecticut, USA DA - 18.05.2014 KW - Flame retardancy KW - Phosphorus polymer KW - Poly(butylene terephthalate) KW - Epoxy resin PY - 2014 SP - 1 EP - 5 AN - OPUS4-30951 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Gers-Panther, C.F. A1 - Fischer, H. A1 - Nordmann, J. A1 - Seiler, T. A1 - Behnke, Thomas A1 - Würth, Christian A1 - Frank, W. A1 - Resch-Genger, Ute A1 - Müller, T.J.J. T1 - Four- and Five-Component Syntheses and Photophysical Properties of Emission Solvatochromic 3‑Aminovinylquinoxalines N2 - 3-Aminovinylquinoxalines are readily accessible from (hetero)aryl glyoxylic acids or heterocyclic π-nucleophiles by consecutive four- and fivecomponent syntheses in the sense of an activation-alkynylation-cyclocondensation-addition sequence or glyoxylation-alkynylation-cyclocondensation-addition sequence in good yields. The title compounds are highly fluorescent with pronounced emission solvatochromicity and protochromic fluorescence quenching. Time-resolved fluorescence spectroscopy furnishes radiative and nonradiative fluorescence decay rates in various solvent polarities. The electronic structure is corroborated by DFT and TD-DFT calculations rationalizing the observed spectroscopic effects. KW - Dye KW - Syntheseis KW - Spectroscopy PY - 2016 DO - https://doi.org/10.1021/acs.joc.6b02581 SN - 0022-3263 VL - 82 SP - 567 EP - 578 PB - ACS Publications AN - OPUS4-39211 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Gähde, J. A1 - Friedrich, Jörg Florian A1 - Fischer, T. A1 - Unger, Wolfgang A1 - Lippitz, Andreas A1 - Falkenhagen, Jana T1 - Reactions of polymer analogous model substances with metals and oxides KW - Modellverbindung KW - Al202 KW - Chrom KW - Orientierung, molekular KW - Chemical interaction KW - Model compounds KW - Al2O3 and chromium KW - Molecular orientation KW - Formation of complexes KW - Plasma PY - 1996 SN - 0340-255x SN - 1437-8027 VL - 101 SP - 194 EP - 198 PB - Springer CY - Berlin AN - OPUS4-685 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER -