TY - GEN A1 - Recknagel, Christoph A1 - Alte-Teigeler, R. A1 - Bergmann, F.-J. A1 - Gebhards, G. A1 - Grabe, W. A1 - Guse, J. A1 - Hartel, S. A1 - Huth, P. A1 - Jannicke, B. A1 - Lobach, T. A1 - Schneider, T. A1 - Sondermann, E. A1 - Vengels, D. A1 - Voß, M. A1 - Willand, E. ED - Roßbach, W. T1 - Zusätzliche Technische Vertragsbedingungen und Richtlinien für Fugen in Verkehrsflächen ZTV Fug-StB 15 N2 - Unter Berücksichtigung praktischer und wissenschaftlich-technischer Erkenntnisse der letzten 15 Jahre - insbesondere auch auf der Basis verschiedener BAM-Forschungsergebnisse und Zulassungsverfahren - erfolgte eine Überarbeitung der Grundlagen, Bauprinzipien, Ausführungs- und Einbaukriterien sowie der Zulassungs- und Gütesicherungsmaßnahmen für insgesamt 4 Bauarten von Fugenfüllsystemen für hochbeanspruchte Verkehrsflächen. In diesem - für den Bundesfernstraßenbereich verbindlichen bautechnischen Regelwerk - finden insbesondere auch die Ergebnisse mehrerer wissenschaftlicher Vorhaben der BAM bezüglich labortechnischer Untersuchungen und Felduntersuchungen zum Funktionsverhalten und zur Dauerhaftigkeit erste baurechtliche Konsequenzen. Auf der Basis von Untersuchungen u.a. im Brückenbau wurden Regelungen für die Fugenausbildung in Asphalt und bei Befestigungskombinationen erarbeitet und umgesetzt. Damit konnten umfassende Regelungen für die maßgebenden Fahrbahnbeläge im Bundesfernstraßenbereich der Straßenbauverwaltung und ausführenden Industrieunternehmungen zur Verfügung gestellt werden. Die Neufassung dieser Regelungen dient darüber hinaus dem Ziel, den von der BAM vertretenen Wechsel hin zu einer performance-bezogenen Bewertungsmethodik, vorzubereiten. KW - Baustoffe KW - Fugen KW - Betonstraßen PY - 2015 SN - 978-3-86446-162-0 SP - 1 EP - 50 PB - FGSV Verlag GmbH CY - Köln AN - OPUS4-37220 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - GEN A1 - Recknagel, Christoph A1 - Alte-Teigeler, R. A1 - Bergmann, F.-J. A1 - Gebhards, G. A1 - Grabe, W. A1 - Guse, J. A1 - Hartel, S. A1 - Huth, P. A1 - Jannicke, B. A1 - Lobach, T. A1 - Schneider, T. A1 - Sondermann, E. A1 - Vengels, D. A1 - Voß, M. A1 - Willand, E. ED - Roßbach, W. T1 - Technische Lieferbedingungen für Fugenfüllstoffe in Verkehrsflächen TL Fug-StB 15 N2 - Nach mehr als 15-jähriger Anwendung und mit der zwischenzeitlichen Einführung europäisch harmonisierter Normen für Fugenmaterialien war eine Anpassung Qualitäts- und Gütesicherungsanforderungen für Fugenfüllungen im Bundesfernstraßenbereich erforderlich. Hierbei ging es insbesondere darum, Maßnahmen und Verfahren zu entwickeln, um das nationale Qualitäts- und Gütesicherungsniveau weiter zu entwickeln und weiterhin sicher stellen zu können. Nach den Untersuchungserfahrungen im Labor und im Feld ging darum, neuartige Material- und Stoffkombinationen qualitätssicher dem Bauprozess zur Verfügung stellen zu können. Erforderliche Anforderungskriterien und zulässige Toleranzen der Lieferqualität wurden neu gefasst. Es wurde ein Verfahren entwickelt, europäische Bauprodukte qualitätsgesichert in den Bauprozess im Bundesfernstraßenbericht zu überführen. KW - Baustoffe KW - Fugenfüllsysteme KW - Anforderungs- und Leistungsrichtlinien PY - 2015 SN - 978-3-86446-163-7 SP - 1 EP - 39 PB - FGSV Verlag GmbH CY - Köln AN - OPUS4-37221 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Winkelmann, Aimo A1 - Nolze, Gert A1 - Voss, M. A1 - Salvat-Pujol, F. A1 - Werner, W. S. M. T1 - Physics-based simulation models for EBSD: advances and challenges N2 - EBSD has evolved into an effective tool for microstructure investigations in the scanning electron microscope. The purpose of this contribution is to give an overview of various simulation approaches for EBSD Kikuchi patterns and to discuss some of the underlying physical mechanisms. T2 - EMAS 2015 - 14th European Workshop on MODERN DEVELOPMENTS AND APPLICATIONS IN MICROBEAM ANALYSIS CY - Portoroz, Slovenia DA - 03.05.2015 KW - Electron backscatter diffraction KW - Simulation KW - Dynamical theory KW - Kinematic theory PY - 2016 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:b43-377469 VL - 109 SP - 012018-1 EP - 012018-13 AN - OPUS4-37746 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Winkelmann, Aimo A1 - Nolze, Gert A1 - Vespucci, S. A1 - Gunsekar, N.-K. A1 - Trager-Cowan, C. A1 - Vilalta-Clemente, A. A1 - Wilkinson, A. J. A1 - Voss, M. T1 - Diffraction effects and inelastic electron transport in angle-resolved microscopic imaging applications N2 - We analyse the signal formation process for scanning electron microscopic imaging applications on crystalline specimens. In accordance with previous investigations, we find nontrivial effects of incident beam diffraction on the backscattered electron distribution in energy and momentum. Specifically, incident beam diffraction causes angular changes of the backscattered electron distribution which we identify as the dominant mechanism underlying pseudocolour orientation imaging using multiple, angle-resolving detectors. Consequently, diffraction effects of the incident beam and their impact on the subsequent coherent and incoherent electron transport need to be taken into account for an in-depth theoretical modelling of the energy- and momentum distribution of electrons backscattered from crystalline sample regions. Our findings have implications for the level of theoretical detail that can be necessary for the interpretation of complex imaging modalities such as electron channelling contrast imaging (ECCI) of defects in crystals. If the solid angle of detection is limited to specific regions of the backscattered electron momentum distribution, the image contrast that is observed in ECCI and similar applications can be strongly affected by incident beam diffraction and topographic effects from the sample surface. As an application, we demonstrate characteristic changes in the resulting images if different properties of the backscattered electron distribution are used for the analysis of a GaN thin film sample containing dislocations. KW - EBSD KW - Channeling-in KW - Background processing KW - Center of mass KW - Backscattered electrons PY - 2017 U6 - http://nbn-resolving.de/urn/resolver.pl?urn:nbn:de:kobv:b43-422063 SN - 0022-2720 VL - 267 IS - 3 SP - 330 EP - 346 PB - Wiley & Sons, Ltd. AN - OPUS4-42206 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER -