TY - GEN A1 - Hasche, K. A1 - Ulm, G. A1 - Herrmann, K. A1 - Krumrey, M. A1 - Ade, G. A1 - Sümpel, J. A1 - Busch, I. A1 - Thomsen-Schmidt, P. A1 - Schädlich, S. A1 - Schindler, A. A1 - Frank, W. A1 - Procop, Mathias A1 - Beck, Uwe T1 - About the calibration of thickness standards on the nanometer scale T2 - Proceedings of the 3rd international EUSPEN conference T2 - 3rd International EUSPEN conference ; 3rd International conference. European Society for Precision Engineering and Nanotechnology ; 4th General meeting. European Society for Precision Engineering and Nanotechnology CY - Eindhoven, The Netherlands DA - 2002-05-26 PY - 2002 SN - 90-386-2883-8 SP - 1 EP - 5 CY - Eindhoven AN - OPUS4-2283 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Hasche, K. A1 - Herrmann, K. A1 - Thomsen-Schmidt, P. A1 - Krumrey, M. A1 - Ulm, G. A1 - Ade, G. A1 - Pohlenz, F. A1 - Stümpel, J. A1 - Busch, I. A1 - Schädlich, S. A1 - Frank, W. A1 - Hirsch, D. A1 - Schindler, A. A1 - Procop, Mathias A1 - Beck, Uwe T1 - Ein Beitrag zu kalibrierten Nanometerschichten für unterschiedliche Anwendungsbereiche T2 - 47. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium N2 - Nanotechnologien werden gegenwärtig als leistungsfähige Oberflächentechniken in erheblichem Umfange industriell genutzt. Dabei spielen dünne Schichten und deren Kenndaten eine wesentliche Rolle, z.B. als Röntgenspiegel oder optische und magnetooptische Datenträger. Die Schichtdicke zählt hierbei zu den technologisch wichtigen Parametern. Abgeleitet von Anwenderinteressen, werden für die Röntgenreflektometrie (XRR bzw. GIXR), Elektronenstrahl-Mikroanalyse (EPMA) und Röntgenfluoreszenzanalyse (XRF) einerseits und die Ellipsometrie andererseits zugeschnittene Schichtdickenmaßverkörperungen (SDM) entwickelt, gefertigt und untersucht. Das Ziel ist die Bereitstellung praxistauglicher, kalibrierter SDM, im weiteren Schichtdickennormale (SDN) genannt. SDN sind Maßverkörperungen, für die der Schichtdickenwert mit einer definierten Messunsicherheit bekannt und auf ein metrologisch anerkanntes Längennormal zurückgeführt ist. Berichtet wird über die Herstellung und messtechnische Charakterisierung der beiden spezifischen Varianten von Maßverkörperungen. T2 - 47. Internationales Wissenschaftliches Kolloquium. Technische Universität Ilmenau ; Herbstkonferenz der Gesellschaft für Arbeitswissenschaft ; 6. Workshop Multimedia für Bildung und Wirtschaft CY - Ilmenau, Deutschland DA - 2002-09-23 PY - 2002 UR - http://publica.fraunhofer.de/documents/N-14872.html VL - 47 SP - 568 EP - 569 PB - Techn. Univ. CY - Ilmenau AN - OPUS4-2284 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Procop, Mathias A1 - Radtke, Martin A1 - Krumrey, M. A1 - Hasche, K. A1 - Schädlich, S. A1 - Frank, W. T1 - Electron probe microanalysis (EPMA) measurement of thin-film thickness in the nanometre range JF - Analytical and bioanalytical chemistry N2 - The thickness of thin films of platinum and nickel on fused silica and silicon substrates has been determined by EPMA using the commercial software STRATAGEM for calculation of film thickness. Film thickness ranged in the order 10 nm. An attempt was made to estimate the confidence range of the method by comparison with results from other methods of analysis. The data show that in addition to the uncertainty of the spectral intensity measurement and the complicated fitting routine, systematic deviation caused by the underlying model should be added. The scattering in the results from other methods does not enable specification of a range of uncertainty, but deviations from the real thickness are estimated to be less than 20%. KW - Electron probe microanalysis KW - EPMA KW - Thin films KW - Thickness measurement KW - X-rays PY - 2002 DO - https://doi.org/10.1007/s00216-002-1514-5 SN - 1618-2642 SN - 1618-2650 VL - 374 SP - 631 EP - 634 PB - Springer CY - Berlin AN - OPUS4-7090 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Thomsen-Schmidt, P. A1 - Hasche, K. A1 - Ulm, G. A1 - Herrmann, K. A1 - Krumrey, M. A1 - Ade, G. A1 - Stümpel, J. A1 - Procop, Mathias A1 - Beck, Uwe T1 - Realisation and metrological characterisation of thickness standards below 100 nm T2 - Tagungsband der DVG Jahrestagung 2002 T2 - DVG Jahrestagung 2002 CY - Magdeburg, Germany DA - 2002-06-17 PY - 2002 SP - 1 EP - 9 PB - Deutsche Vakuum-Gesellschaft CY - Kaiserslautern AN - OPUS4-1936 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - JOUR A1 - Thomsen-Schmidt, P. A1 - Hasche, K. A1 - Ulm, G. A1 - Herrmann, K. A1 - Krumrey, M. A1 - Ade, G. A1 - Stümpel, J. A1 - Busch, I. A1 - Schädlich, S. A1 - Schindler, A. A1 - Frank, W. A1 - Hirsch, D. A1 - Procop, Mathias A1 - Beck, Uwe T1 - Realisation and metrological characterisation of thickness standards below 100 nm JF - Applied physics A N2 - High-accuracy film thickness measurements in the range below 100 nm can be made by various complex methods like spectral ellipsometry (SE), scanning force microscopy (SFM), grazing incidence X-ray reflectometry (GIXR), or X-ray fluorescence analysis (XRF). The measurement results achieved with these methods are based on different interactions between the film and the probe. A key question in nanotechnology is how to achieve consistent results on a level of uncertainty below one nanometre with different techniques. Two different types of thickness standards are realised. Metal film standards for X-ray techniques in the thickness range 10 to 50 nm are calibrated by GIXR with monochromatised synchrotron radiation of 8048 eV. The results obtained at four different facilities show excellent agreement. SiO2 on Si standards for SE and SFM in the thickness range 6 to 1000 nm are calibrated by GIXR with monochromatised synchrotron radiation of 1841 eV and with a metrological SFM. Consistent results within the combined uncertainties are obtained with the two methods. Surfaces and interfaces of both types of standards are additionally investigated by transmission electron microscopy (TEM). PY - 2004 DO - https://doi.org/10.1007/s00339-003-2273-7 SN - 0947-8396 VL - 78 IS - 5 SP - 645 EP - 649 PB - Springer CY - Berlin AN - OPUS4-17195 LA - eng AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER - TY - CONF A1 - Koenders, L. A1 - Hasche, K. A1 - Ulm, G. A1 - Krumrey, M. A1 - Ade, G. A1 - Stümpel, J. A1 - Busch, I. A1 - Thomsen-Schmidt, P. A1 - Schädlich, S. A1 - Schindler, A. A1 - Frank, W. A1 - Beck, Uwe A1 - Procop, Mathias T1 - Über die metrologische Charakterisierung von Schichtdicken Standards im Nanometerbereich T2 - 12th Applied Surface Analysis Workshop T2 - 12th Applied Surface Analysis Workshop ; AOFA 12 CY - --- DA - 2002-09-15 PY - 2002 AN - OPUS4-2285 LA - deu AD - Bundesanstalt fuer Materialforschung und -pruefung (BAM), Berlin, Germany ER -