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Die heutige Automobilindustrie ist durch zunehmende Individualisierungswünsche der Kunden sowie einer Verkürzung der Konjunkturzyklen gekennzeichnet. Für Fahrzeughersteller, wie der Daimler AG äußert sich diese Marktsituation in einer hohen Variantenvielfalt und Stückzahlschwankungen. Da die Ausprägungen dieser Einflüsse weitgehend unbekannt sind, muss das Produktionssystem darauf vorbereitet sein, bedarfsgerecht der Marktsituation angepasst zu werden. Diese Anpassungen müssen schnell, mit wenig Aufwand und geringen Kosten möglich sein. Wandlungsfähige Produktionssysteme gehören deshalb zu den strategischen Erfolgsgrößen für die Automobilindustrie. Innerhalb dieses Beitrags wird ein modularer, skalierbarer Produktionsbaukasten vorgestellt, der Bestandteil einer Planungs- und Entwicklungsumgebung wandlungsfähiger roduktionskonzepte ist. Die hierfür genutzte grenzwerttheoretische Entwicklungsmethodik wird erläutert und die Skalierungsmöglichkeiten des Produktionsbaukastens mit Hilfe neuer Produktionstechnologien betrachtet. Dabei zeichnet sich die Mensch-Roboter-Kooperation als wesentlicher Bestandteil wandlungsfähiger Produktionskonzepte ab. „Smarte Produktionsassistenten“ sind intelligente und sichere Roboter-Applikationen, die sich als Möglichkeit hervortun die Mensch-Roboter-Kooperation als Schlüsseltechnologie in industriellen Anwendungen zu realisieren.
In this work, we present an integrated read and programming circuit for Resistive Random Access Memory (RRAM) cells. Since there are a lot of different RRAM technologies in research and the process variations of this new memory technology often spread over a wide range of electrical properties, the proposed circuit focuses on versatility in order to be adaptable to different cell properties. The circuit is suitable for both read and programming operations based on voltage
pulses of flexible length and height. The implemented read method is based on evaluating the voltage drop over a measurement resistor and can distinguish up to eight different states, which are coded in binary, thereby realizing a digitization of the analog memory value. The circuit was fabricated in the 130 nm CMOS process line of IHP. The simulations were done using a physics-based, multi-level RRAM model. The measurement results prove the functionality of the read circuit and the programming system and demonstrate that the read system can distinguish up to eight different states with an overall resistance ratio of 7.9.