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Microscopic and spectroscopic characterization of interfaces and dielectric layers for OFET devices
(2009)
Photo-Emission-Electron-Microscopy for Characterization of an Operating Organic Electronic Device
(2006)
Scanning Kelvin probe and photoemission electron microscopy of organic source-drain structures
(2004)
Wir haben CuInS2 (CIS) unterschiedlicher Herstellung (Koverdampfung, Sputtern, Pulsed Laser Deposition, CIS auf Kupferband aufgebracht) untersucht. Neben Tiefenprofilen (durch Sputtern) der Elementverteilung dieser Proben wurden der Einfluss der Temperatur, von aufgedampftem Kupfer und Indium, ebenfalls bei verschiedenen Temperaturen, auf das Verhalten der Stöchiometrie mit spektroskopischen Methoden (XPS, UPS) studiert. Parallel dazu wurde das Verhalten von im Vakuum aufgedampften ZnS und die entsprechenden Oberflächenreaktionen in Abhängigkeit von der Temperatur untersucht und charakterisiert, so dass Aussagen über die Optimierung und Anpassung von Präparationsbedingungen und Parametern zur Herstellung von erstens reinem CIS und zweitens von Mischkristallen des Typs Zn2-xCuxInxS2 möglich werden. Zwischen den beiden Endgliedern ZnS und CuInS2 besteht bis auf einen Phasenübergang bei etwa 80% CIS lückenlose Mischbarkeit gemäss Zn2-xCuxInxS2 (Bente: Chem.Erde (1991)). Die elektronische Bandlücke dieser Mischkristalle lässt sich im Vergleich zu reinem CuInS2 in einem Bereich von 3,67 eV (ZnS) bis 1,55 eV (CuInS2) variieren. Damit besteht die Möglichkeit, durch kontrollierte Änderung der Zusammensetzung der Schichten die Effizienz von Solarzellen aus diesem Material zu optimieren.
Microscopic and Spectroscopic Characterization of Interfaces and Dielectric Layers for OFET Devices
(2008)
X-ray photoemission spectroscopy of Aluminium Oxynitride on Si(001) and the rise as buffer layers
(2008)
Praseodymium oxide (PrxOy) is one of the candidate as high-k transistor gate dielectrics, but aluminium oxynitride (AlxONy) as buffer layer is needed to prevent diffusions from the silicon into PrxOy and to hinder charge injection from the semiconductor into the insulator. The thermal stability and thickness dependence of aluminum oxynitride (AlxONy) has been investigated by synchrotron radiation photoemission spectroscopy (SR-PES). AlxONy layers were prepared by low energy ion-beam assisted deposition (LE-IBAD) at room temperature on a silicon substrate cleaned with HF-acid. Aluminium oxynitride is stable till 800∘C. From photoemission spectra we can assess that silicon oxynitride is built as first and then the growth of AlxONy follows. Resonant inelastic X-ray scattering measurements with synchrotron radiation have been performed. The combination of X-ray absorption spectroscopy (XAS) and RIXS make possible to determinate the band gap of AlxONy.